Prof. Dr. R. Goldhahn

Prof. Dr. rer. nat. habil. Rüdiger Goldhahn

Faculty of Natural Science
Department of Material Physics
Department Head
Building 16, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, G16-018
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Publications

2024

Abstract

Photoluminescence study of corundum-like α-Ga2O3

Hölzer, Lennart; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Akaiwa, Kazuaki; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL25.1 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Abstract

n-type doping of GaN via pulsed sputter epitaxy

Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Grümbel, Jona; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Strittmatter, André

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.4 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Abstract

Red shift of the absorption onset in orthorhombic κ-(InxGa1−x)2O3 alloys

Kluth, Elias; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL25.2 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Peer-reviewed journal article

An unusual phosphide addition reaction of 1,3-dimethyl-1,2,3-benzotriazolium iodide

Mudzakir, Ahmad; Liebing, Phil; Haak, Edgar; Fischer, Axel; Hilfert, Liane; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.

In: Inorganic chemistry communications - Amsterdam [u.a.] : Elsevier Science, Bd. 161 (2024), Artikel 111924

2023

Abstract

Temperature dependent spectroscopic ellipsometry on cubic GaN

Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: WSE 2023 - Prag, Artikel 61-We-O

Abstract

Analysis of pump-probe absorption edge spectroscopy on cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Deppe, Michael; As, Donat J.

In: WSE 2023 - Prag, Artikel 06-Tu-O

Abstract

Anisotropic IR active phonon modes and fundamental direct band-to-band transitions in α-(AlxGa1−x)2O3 alloys grown by MOCVD

Kluth, Elias; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin; Meng, Lingyu; Zhao, Hongping; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 41.4

Abstract

n-type doping of GaN via co-sputtering

Hörich, Florian; Grümbel, Jona; Bläsing, Jürgen; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Strittmatter, André

In: International Workshop on Magnetron Sputter Epitaxy 2023, 19 - 20 Oktober, 2023, Dresden, S. 0, https://www.fep.fraunhofer.de/de/events/iwmse-2023.html#353032739

Abstract

Optical properties of rocksalt ScN

Feneberg, Martin; Grümbel, Jona; Lüttich, Christopher; Dadgar, Armin; Oshima, Yuichi; Dubroka, Adam; Ramsteiner, Manfred; Goldhahn, Rüdiger

In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH2-2

Abstract

Temperature dependent Raman spectroscopy on GaN:Si

Harms, Christina; Grümbel, Jona; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 33.42

Abstract

Optical properties of ScN films grown by HVPE and sputter epitaxy

Grümbel, Jona; Oshima, Yuichi; Lüttich, Christopher; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.9

Abstract

Temperature dependent spectroscopic ellipsometry on cubic GaN

Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.10

Peer-reviewed journal article

Synthesis and structural characterization of divalent transition metal alkynylamidinate complexes

Wang, Sida; Liebing, Phil; Feneberg, Martin; Sroor, Farid M.; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.

In: European journal of inorganic chemistry - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 26 (2023), Heft 14, Artikel e202300027

Peer-reviewed journal article

Time-resolved pump–probe spectroscopic ellipsometry of cubic GaN II - absorption edge shift with gain and temperature effects

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 7, Artikel 075703, insges. 8 S.

Peer-reviewed journal article

Time-resolved pump-probe spectroscopic ellipsometry of cubic GaN. I. - Determination of the dielectric function

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 7, Artikel 075702, insges. 11 S.

Peer-reviewed journal article

Pyrazolylpropanoate complexes of palladium(II) chloride

Johnson, Ryan; Liebing, Phil; Musikanth, Daniel P.; Regitz, Stuart A.; Amenta, Donna S.; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.; Gilje, John W.

In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie - Weinheim : Wiley-VCH . - 2023, Artikel e202300076, insges. 15 S.

Peer-reviewed journal article

Epitaxial synthesis of unintentionally doped p-type SnO (001) via suboxide molecular beam epitaxy

Egbo, Kingsley; Luna, Esperanza; Lähnemann, Jonas; Hoffmann, Georg F.; Trampert, Achim; Grümbel, Jona; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver

In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 133 (2023), Heft 4, Artikel 045701, insges. 11 S.

Peer-reviewed journal article

Determination of anisotropic optical properties of MOCVD grown m-plane α-(AlxGa1−x)2O3 alloys

Kluth, Elias; Anhar Uddin Bhuiyan, A. F. M.; Meng, Lingyu; Bläsing, Jürgen; Zhao, Hongping; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Japanese journal of applied physics - Bristol : IOP Publ., Bd. 62 (2023), Heft 5, Artikel 051001, insges. 8 S.

Peer-reviewed journal article

Synthesis and structural characterization of p-carboranylamidine derivatives

Harmgarth, Nicole; Liebing, Phil; Lorenz, Volker; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.

In: Molecules - Basel : MDPI, Bd. 28 (2023), Heft 9, Artikel 3837, insges. 11 S.

Peer-reviewed journal article

Redshift and amplitude increase in the dielectric function of corundum-like -(TixGa1 x)2O3

Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Smith, Emily Rose; Stoppiello, Craig; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 122 (2023), Heft 9, Artikel 092101, insges. 7 S.

2022

Abstract

Shift of the absoption onset in corundum-like α-(TixGa 1 x) 2O 3

Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Abstract

Impact of growth techniques and post-growth annealing on electronic and phononic properties of -Ga2O3

Janzen, Benjamin M.; Peltason, Vivien F. S.; Hajizadeh, Níma; Hartung, Conrad; Marggraf, Marcella N.; Nippert, Felix; Gillen, Roland; Maultzsch, J.; Mazzolini, Piero; Fornari, Roberto; Bosi, Matteo; Seravalli, Luca; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Kneiß, Max; Wenckstern, Holger; Grundmann, Marius; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ardenghi, Andrea; Bierwagen, Oliver; Wagner, Markus R.

In: The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - The IWGO2022 Steering Committee, 2022 . - 2022, S. 206-207

Abstract

Anisotropic IR active phonon modes and fundamental direct band-to-band transitions in α-(AlxGa1-x)2O3 alloys grown by MOCVD

Kluth, Elias; Bhuiyan, A. F. M. Anhar Uddin; Meng, Lingyu; Zhao, Hongping; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - The IWGO2022 Steering Committee, 2022 . - 2022, S. 232-233

Abstract

Femtosecond pump-probe absorption edge spectroscopy of cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradnik, Martin; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 5

Abstract

Optical properties of the AlScN ternary system

Grümbel, Jona; Baron, Elias; Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 263, Artikel AT 195

Abstract

Remote heteroepitaxy of In(x)Ga(1-x)As on graphene covered GaAs(001) substrates

Henksmeier, Tobias; Schulz, Friedemann; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, Dirk

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Abstract

Ultra-fast change of the absorption onset in undoped cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Abstract

Determination of relaxation in thin InGaAs-films by Raman spectroscopy

Friedemann Schulz, Johann; Henksmeier, Tobias; Feneberg, Martin; Kluth, Elias; Reuter, Dirk; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Peer-reviewed journal article

Enhanced light extraction efficiency of UV LEDs by encapsulation with UV-transparent silicone resin

Wu, Shaojun; Guttmann, Martin; Lobo-Ploch, Neysha; Gindele, Frank; Susilo, Norman; Knauer, Arne; Kolbe, Tim; Raß, Jens; Hagedorn, Sylvia; Cho, Hyun Kyong; Hilbrich, Katrin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Einfeldt, Sven; Wernicke, Tim; Weyers, Markus; Kneissl, Michael

In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Bd. 37 (2022), 6, insges. 6 S.

Peer-reviewed journal article

Small compound - big colors - synthesis and structural investigation of brightly colored alkaline earth metal 1,3-dimethylviolurates

Lorenz, Volker; Liebing, Phil; Müller, Matthias; Hilfert, Liane; Feneberg, Martin; Kluth, Elias; Kühling, Marcel; Buchner, Magnus Richard; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.

In: Dalton transactions - London : Soc., Bd. 51 (2022), Heft 20, S. 7975-7985

Peer-reviewed journal article

Anharmonicity of lattice vibrations in thin film α-Ga 2O 3 investigated by temperature dependent Raman spectroscopy

Grümbel, Jona; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 120 (2022), Heft 2, insges. 7 S.

Peer-reviewed journal article

Synthesis and structural characterization of a series of homoleptic firstrow transition metal tris(alkynylamidinates)

Edelmann, Frank T.; Wang, Sida; Liebing, Phil; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Goldhahn, Rüdiger

In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie - Weinheim: Wiley-VCH . - 2022, insges. 26 S.

Peer-reviewed journal article

Synthesis and complexation study of new aminoalkynyl amidinate ligands

Wang, Sida; Liebing, Phil; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.

In: Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie - Weinheim: Wiley-VCH . - 2022, insges. 10 S.

Peer-reviewed journal article

Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5

Gorelov, Vitaly; Reining, Lucia; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schleife, André; Lambrecht, Walter R. L.; Gatti, Matteo

In: npj computational materials - London: Nature Publ. Group, Bd. 8 (2022), insges. 9 S.

Peer-reviewed journal article

Tackling disorder in γ-Ga 2O 3

Ratcliff, Laura E.; Oshima, Takayoshi; Nippert, Felix; Janzen, Benjamin M.; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Mazzolini, Piero; Bierwagen, Oliver; Wouters, Charlotte; Nofal, Musbah; Albrecht, Martin; Swallow, Jack E. N.; Jones, Leanne A. H.; Thakur, Pardeep K.; Lee, Tien-Lin; Kalha, Curran; Schlueter, Christoph; Veal, Tim D.; Wagner, Markus R.; Regoutz, Anna

In: Advanced materials - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 34 (2022), 37, insges. 15 S.

Peer-reviewed journal article

Optical properties of corundum-structured In 2O 3

Cuscó, Ramon; Yamaguchi, Tomohiro; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 121 (2022), 6

Peer-reviewed journal article

Remote epitaxy of InxGa1-xAs (0 0 1) on graphene covered GaAs(0 0 1) substrates

Henksmeier, T.; Schulz, Johann Friedemann; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Sanchez, A. M.; Voigt, M.; Grundmeier, G.; Reuter, D.

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 593 (2022)

Peer-reviewed journal article

Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGax) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity

Papadogianni, Alexandra; Wouters, Charlotte; Schewski, Robert; Feldl, Johannes; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred; Albrecht, Martin; Bierwagen, Oliver

In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Bd. 6 (2021), 3, insges. 11 S., 2022

Non-peer-reviewed journal article

Femtosecond pump-probe absorption edge spectroscopy of cubic GaN

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 11 S.

Non-peer-reviewed journal article

Epitaxial synthesis of unintentionally doped p-type SnO (001) via suboxide molecular beam epitaxy

Egbo, Kingsley; Luna, Esperanza; Lähnemann, Jonas; Hoffmann, Georg F.; Trampert, Achim; Grümbel, Jona; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver

In: De.arxiv.org - [S.l.] : Arxiv.org . - 2022, Artikel 2209.11678, insges. 23 S.

Non-peer-reviewed journal article

Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5

Gorelov, Vitaly; Reining, Lucia; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schleife, André; Lambrecht, Walter R. L.; Gatti, Matteo

In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 14 S.

Non-peer-reviewed journal article

Tackling disorder in γ-Ga2O3

Ratcliff, Laura E.; Oshima, Takayoshi; Nippert, Felix; Janzen, Benjamin M.; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Mazzolini, Piero; Bierwagen, Oliver; Wouters, Charlotte; Nofal, Musbah; Albrecht, Martin; Swallow, Jack E. N.; Jones, Leanne A. H.; Thakur, Pardeep K.; Lee, Tien-Lin; Kalha, Curran; Schlueter, Christoph; Veal, Tim D.; Varley, Joel B.; Wagner, Markus R.; Regoutz, Anna

In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 40 S.

2021

Abstract

Free-carrier concentration and many-body effects in cubic Al xGa 1-xN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.

In: WSE 11 - Linz: Johannes Kepler University Linz, 2021 . - 2021, S. 12

Peer-reviewed journal article

Ellipsometry study of hexagonal boron nitride using synchrotron radiation - transparency Window in the farUVC

Artús, Luis; Feneberg, Martin; Attaccalite, Claudio; Edgar, James H.; Li, Jiahan; Goldhahn, Rüdiger; Cuscó, Ramon

In: Advanced photonics research - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 2 (2021), 5

Peer-reviewed journal article

Optical evidence of many-body effects in the zincblende AlxGa1-xN alloy system

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.

In: Journal of physics / D - Bristol: IOP Publ., Volume 54 (2021), isuue 2, article 025101, 12 Seiten

Peer-reviewed journal article

Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga) 2O 3 alloy films

Feldl, Johannes; Feneberg, Martin; Papadogianni, Alexandra; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 119 (2021), 4, insges. 6 S.

Peer-reviewed journal article

Selective area growth of cubic gallium nitride on silicon (001) and 3C-silicon carbide (001)

Meier, F.; Protte, M.; Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, D.; As, D. J.

In: AIP Advances - New York, NY: American Inst. of Physics, Bd. 11 (2021), 7, insges. 7 S.

Peer-reviewed journal article

Origin of defect luminescence in ultraviolet emitting AlGaN diode structures

Feneberg, Martin; Romero, Fátima; Goldhahn, Rüdiger; Wernicke, Tim; Reich, Christoph; Stellmach, Joachim; Mehnke, Frank; Knauer, Arne; Weyers, Markus; Kneissl, Michael

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 118 (2021), Heft 20, Artikel 202101, insges. 6 S.

Non-peer-reviewed journal article

Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGa x) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity

Papadogianni, Alexandra; Wouters, Charlotte; Schewski, Robert; Feldl, Johannes; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred; Albrecht, Martin; Bierwagen, Oliver

In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2021, insges. 15 S.

Non-peer-reviewed journal article

Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga) 2O 3 alloy films

Feldl, Johannes; Feneberg, Martin; Papadogianni, Alexandra; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred

In: De.arxiv.org - [S.l.] : Arxiv.org . - 2021, Artikel 2104.08092, insges. 11 S.

2020

Abstract

Size-effect of donors on the lattice parameters of wurtzite GaN

Kluth, Elias; Lange, Karsten; Wienecke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.3

Abstract

Impact of high free-carrier concentrations on optical properties of cubic GaN

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.1

Abstract

Phonons and free-carrier contributions of spinel ZnGa 2O 4 by spectroscopic ellipsometry

Wüthrich, Alwin; Feneberg, Martin; Galazka, Zbigniew; Goldhahn, Rüdiger

In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 72.4

Abstract

Raman-Spectroscopy of corundum-like α-Ga 2O 3 grown by HVPE

Grümbel, Jona; Ning, Pingfan; Bläsing, Jürgen; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef : DPG - 2020, Vortrag: HL 72.2

Peer-reviewed journal article

Lattice vibrations and optical properties of α-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy

Ning, Pingfan; Grümbel, Jona; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin

In: Semiconductor science and technology - Bristol : IOP Publ. - Volume 35 (2020), issue 9, article 095001, 7 Seiten

Peer-reviewed journal article

Polarization fields in semipolar (2021) and (2021) InGaN light emitting diodes

Freytag, Stefan; Winkler, Michael; Goldhahn, Rüdiger; Wernicke, Tim; Rychetsky, Monir; Koslow, Ingrid L.; Kneissl, Michael; Dinh, Duc V.; Corbett, Brian; Parbrook, Peter J.; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics - Volume 116(2020), Issue 6, Article 062106

Peer-reviewed journal article

The impurity size-effect and phonon deformation potentials in wurtzite GaN

Kluth, Elias; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen P.; Witte, Hartmut; Lange, Karsten; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Volume 35 (2020), issue 9, 9 Seiten

Peer-reviewed journal article

Rubidium and cesium enediamide complexes derived from bulky 1,4-diazadienes

Duraisamy, Ramesh; Liebing, Phil; Harmgarth, Nicole; Lorenz, Volker; Hilfert, Liane; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Engelhardt, Felix; Edelmann, Frank T.

In: ACS omega - Washington, DC: ACS Publications, Bd. 5 (2020), 30, S. 19061-19069

2019

Abstract

Effective electron mass anisotropy in [alpha]-Ga 2O 3

Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Akaiwa, Kazuaki

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL9.2

Abstract

IR-Vis-UV optical properties of [alpha]-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy

Ning, Pingfan; Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Son, Hoki; Jeon, Dae-Woo; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL16.12

Abstract

Orbital contributions to the electron g-factor in semiconductor nanowires

Winkler, Michael; Brähmer, Hagen; Feneberg, Martin; Esser, Norbert; Monroy, Eva; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL31.6

Abstract

All-optical determination of free-carrier concentration and composition in cubic GaN and AlGaN

Baron, Elias; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL24.4

Peer-reviewed journal article

Influence of the free-electron concentration on the optical properties of zincblende GaN up to 1×10 20cm -3

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Volume 3 (2019), Issue 10, Article 104603, insgesamt 11 Seiten

Peer-reviewed journal article

Anisotropic optical properties of highly doped rutile SnO 2 - valence band contributions to the Burstein-Moss shift

Feneberg, Martin; Lidig, Christian; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.; Bierwagen, Oliver; Galazka, Zbigniew; Goldhahn, Rüdiger

In: APL materials - Melville, NY : AIP Publ. - Vol. 7.2019, 2, Art. 022508

Peer-reviewed journal article

Anisotropic phonon properties and effective electron mass in α-Ga 2O 3

Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Sekiyama, Takahito; Ota, Katsuya; Akaiwa, Kazuaki; Ichino, Kunio; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 114.2019, 4, Art. 142102, insgesamt 5 Seiten

Peer-reviewed journal article

Photoluminescence line shape analysis of highly ntype doped zincblende GaN

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH . - 2019, insges. 5 S.

Peer-reviewed journal article

Catenated and spirocyclic polychalcogenides from potassium carbonate and elemental chalcogens

Liebing, Phil; Kühling, Marcel; Swanson, Claudia; Feneberg, Martin; Hilfert, Liane; Goldhahn, Rüdiger; Chivers, Tristram; Edelmann, Frank T.

In: Chemical communications - Cambridge: Soc., Bd. 55 (2019), 99, S. 14965-14967

2018

Abstract

Characterization of the dielectric function of RScO3 type scandates

Kuznetsov, Sergey; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. DS 3.10

Abstract

Parametric model for the anisotropic dielectric function of m-plane AlGaN up to 20eV

Winkler, Michael; Feneberg, Martin; Chichibu, Shigefusa F.; Collazo, Ramón; Sitar, Zlatko; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL27.10

Abstract

Revision of the TO phonon frequencies in wurtzite and zincblende GaN

Feneberg, Martin; Baron, Elias; Kluth, Elias; Lange, Karsten; Donat, As; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger

In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018

Abstract

Plasmonic properties of degenerately Ge-Doped Cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.

In: WSE 10: Workshop Ellipsometry, March 19 - 21, 2018, Chemnitz, Germany : abstract-book - Chemnitz, 2018 . - 2018, S. 36

Abstract

Ellipsometry of transparent conducting oxides from mid-infrared into vacuum-ultraviolet

Goldhahn, Rüdiger

In: WSE 10: Workshop Ellipsometry, March 19 - 21, 2018, Chemnitz, Germany : abstract-book - Chemnitz, 2018 . - 2018, S. 40

Abstract

Structural, optical and electronic properties of single-crystalline (In1-xGax)2O3 thin films in the low-x bixbyite phase end

Papadogianni, Alexandra; Nagata, Takahiro; Wouters, Charlotte; Albrecht, Martin; Feldl, Johannes; Ramsteiner, Manfred; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver

In: 7th International Symposium Transparent Conductive Materials, E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors: 14-19 October 2018, Crete, Greece ; Abstract book - TCM, 2018, 2018, TCM-O45.ID-10, S. 171

Peer-reviewed journal article

Anisotropic optical properties of metastable (0112)α Ga2O3 grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Kracht, M.; Karg, A.; Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Schörmann, J.; Goldhahn, Rüdiger; Eickhoff, M.

In: Physical review applied - College Park, Md. [u.a.] : American Physical Society - Vol. 10.2018, 2, Art. 024047

Peer-reviewed journal article

Valence band tomography of wurtzite GaN by spectroscopic ellipsometry

Feneberg, Martin; Winkler, Michael; Lange, Karsten; Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics express: APEX - Tokyo: Ōyō Butsuri-Gakkai, Vol. 11.2018, 10, Art. 101001

Peer-reviewed journal article

Structural, optical, and electrical properties of unintentionally doped NiO layers grown on MgO by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Budde, Melanie; Tschammer, Carsten; Franz, Philipp; Feldl, Johannes; Ramsteiner, Manfred; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Barsan, Nicolae; Oprea, Alexandru; Bierwagen, Oliver

In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics - Vol. 123.2018, 19, Art. 195301, insgesamt 19 S.

Peer-reviewed journal article

Optical properties of In 2O 3 from experiment and first-principles theory - influence of lattice screening

Schleife, André; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Galazka, Zbigniew; Gottwald, Alexander; Nixdorf, Jakob; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: New journal of physics - [Bad Honnef] : Dt. Physikalische Ges. - Vol. 20.2018, Art. 053016, insgesamt 13 S.

Peer-reviewed journal article

Ordinary dielectric function of corundumlike α Ga 2O 3 from 40 meV to 20 eV

Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Artús, Lluis; Cuscó, Ramon; Yamaguchi, Tomohiro; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review materials - College Park, MD : APS - Vol. 2.2018, 4, Art. 044601

2017

Abstract

Effective electron mass in cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2017, Artikel HL 50.2

Peer-reviewed journal article

Band gap of corundumlike α-Ga 2O 3 determined by absorption and ellipsometry determined by absorption and ellipsometry

Segura, A.; Artús, L.; Cuscó, R.; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Vol. 1.2017, 2, Art. 024604

2016

Peer-reviewed journal article

Optical properties of the organic-inorganic hybrid perovskite CH3NH3PbI3 - theory and experiment

Demchenko, D. O.; Izyumskaya, N.; Feneberg, Martin; Avrutin, V.; Özgür, Ü.; Goldhahn, Rüdiger; Morkoç, H.

In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 94 (2016), 7

Peer-reviewed journal article

Erratum: Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift

Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Lidig, Christian; Goldhahn, Rüdiger; Galazka, Zbigniew; Bierwagen, Oliver; Speck, James S.

In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Vol. 93.2016, 23, Art. 239905

Peer-reviewed journal article

Stimulated emission via electron-hole plasma recombination in fully strained single InGaN/GaN heterostructures

Minj, A.; Romero, M. F.; Wang, Y.; Tuna, Ö.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schmerber, G.; Ruterana, P.; Giesen, C.; Heuken, M.

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 109.2016, 22, Art. 221106

Peer-reviewed journal article

Unintentional indium incorporation into barriers of InGaN/GaN multiple quantum wells studied by photoreflectance and photoluminescence excitation spectroscopy

Freytag, Stefan; Feneberg, Martin; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Callsen, Gordon; Hoffmann, Axel; Bokov, Pavel; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 120.2016, 1, Art. 015703

Peer-reviewed journal article

Inversion of absorption anisotropy and bowing of crystal field splitting in wurtzite MgZnO

Neumann, M. D.; Esser, N.; Chauveau, J.-M.; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 108.2016, 22, Art. 221105, insgesamt 6 S.

Peer-reviewed journal article

Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2 O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift

Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Lidig, Christian; Goldhahn, Rüdiger; Galazka, Zbigniew; Bierwagen, Oliver; Speck, James S.

In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 93 (2016), 4

2015

Book chapter

Optical properties and band structure of highly doped gallium nitride

Goldhahn, Rüdiger; Lange, Karsten; Feneberg, Martin

In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, Vol. 9363.2015, Art. 93630G

Peer-reviewed journal article

Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures

Bokov, P. Yu.; Brazzini, T.; Romero, M. F.; Calle, F.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Semiconductor science and technology: devoted exclusively to semiconductor research and applications - Bristol: IOP Publ, Vol. 30.2015, 8, Art. 085014, insgesamt 6 S.

Peer-reviewed journal article

Carrier-induced refractive index change observed by a whispering gallery mode shift in GaN microrods

Tessarek, C.; Goldhahn, Rüdiger; Sarau, G.; Heilmann, M.; Christiansen, S.

In: New journal of physics - [Bad Honnef]: Dt. Physikalische Ges., Vol. 17.2015, 8, Art. 083047, insgesamt 9 S.

Peer-reviewed journal article

Structural and optical properties of MBE-grown asymmetric cubic GaN/Al x Ga 1- x N double quantum wells

Wecker, T.; Hörich, Florian; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, D.; As, D. J.

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 873-878

Peer-reviewed journal article

Effect of carrier gas in hydride vapor phase epitaxy on optical and structural properties of GaN

Gridneva, E.; Richter, E.; Feneberg, Martin; Weyers, M.; Goldhahn, Rüdiger; Tränkle, G.

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 1180-1188

Peer-reviewed journal article

Anisotropic optical properties of semipolar AlGaN layers grown on m-plane sapphire

Feneberg, Martin; Winkler, Michael; Klamser, Juliane; Stellmach, Joachim; Frentrup, Martin; Ploch, Simon; Mehnke, Frank; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 106.2015, 18, Art. 182102, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Strongly transverse-electric-polarized emission from deep ultraviolet AlGaN quantum well light emitting diodes

Reich, Christoph; Guttmann, Martin; Feneberg, Martin; Wernicke, Tim; Mehnke, Frank; Kuhn, Christian; Rass, Jens; Lapeyrade, Mickael; Einfeldt, Sven; Knauer, Arne; Kueller, Viola; Weyers, Markus; Goldhahn, Rüdiger; Kneissl, Michael

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 107.2015, 14, Art. 142101, insgesamt 6 S.

Habilitation

Untersuchungen des Kornwachstums nanokristalliner Materialien durch Computersimulationen und analytische Theorien

Zöllner, Dana; Goldhahn, Rüdiger

In: Magdeburg Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2015, 70 S., graph. Darst., 30 cm

2014

Peer-reviewed journal article

Temperature dependent dielectric function and reflectivity spectra of nonpolar wurtzite AlN

Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger

In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Vol. 571.2014, part 3, S. 502-595

Peer-reviewed journal article

Optical properties of magnesium doped Al x Ga1 x N (0.61 ≤ x ≤ 0.73)

Feneberg, Martin; Osterburg, Sarah; Romero, María Fátima; Garke, Bernd; Goldhahn, Rüdiger; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Yan, Jianchang; Zeng, Jianping; Wang, Junxi; Li, Jinmin

In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 114.2014, Art. 143103, insgesamt 8 S.

Peer-reviewed journal article

Band gap renormalization and Burstein-Moss effect in silicon- and germanium-doped wurtzite GaN up to 1020 cm-3

Feneberg, Martin; Osterburg, Sarah; Lange, Karsten; Lidig, Christian; Garke, Bernd; Goldhahn, Rüdiger; Richter, Eberhard; Netzel, Carsten; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Fritze, Stephanie; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois

In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 90.2014, 7, Art. 075203, insgesamt 10 S.

Peer-reviewed journal article

Ordinary and extraordinary dielectric functions of rutile SnO2 up to 20 eV

Feneberg, Martin; Lidig, Christian; Lange, Karsten; Goldhahn, Rüdiger; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Bierwagen, Oliver; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, Art. 231106, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Polarization of photoluminescence emission from semi-polar (1122) AlGaN layers

Netzel, Carsten; Stellmach, Joachim; Feneberg, Martin; Frentrup, Martin; Winkler, Michael; Mehnke, Frank; Wernicke, Tim; Goldhahn, Rüdiger; Kneissl, Michael; Weyers, Markus

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, 5, Art. 051906

Peer-reviewed journal article

Anisotropy of the electron effective mass in rutile SnO2 determined by infrared ellipsometry

Feneberg, Martin; Lidig, Christian; Lange, Karsten; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 211.2014, 1, S. 82-86

2013

Peer-reviewed journal article

Systematic optical characterization of two-dimensional electron gases in InAlN/GaN-based heterostructures with different in content

Romero, María Fátima; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, Egidijus; Calle, Fernando; Goldhahn, Rüdiger

In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ, Vol. 52.2013, Art. 08jk02, insgesamt 4 S.

Peer-reviewed journal article

Anisotropy of effective electron masses in highly doped nonpolar GaN

Feneberg, Martin; Lange, Karsten; Lidig, Christian; Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 23, Art. 232104, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Excitonic recombination in epitaxial lateral overgrown AlN on sapphire

Reich, Christoph; Feneberg, Martin; Kueller, Viola; Knauer, Arne; Wernicke, Tim; Schlegel, Jessica; Frentrup, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Weyers, Markus; Kneissl, Michael

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 21, Art. 212108, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Direct determination of the silicon donor ionization energy in homoepitaxial AlN from photoluminescence two-electron transitions

Neuschl, B.; Thonke, K.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Wunderer, T.; Yang, Z.; Johnson, N. M.; Xie, J.; Mita, S.; Rice, A.; Collazo, R.; Sitar, Z.

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 12, Art. 122105, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Anisotropic absorption and emission of bulk (1-100) AlN

Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2012, 23, Art. 235209, insgesamt 9 S., 2013

Peer-reviewed journal article

Ge as a surfactant in metal-organic vapor phase epitaxy growth of a-plane GaN exceeding carrier concentrations of 10 20 cm -3

Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Lange, Karsten; Feneberg, Martin; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Krost, Alois

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, Art. 012103, insgesamt 4 S.

Peer-reviewed journal article

Impact of AlN Spacer on metalsemiconductormetal PtInAlGaN/GaN heterostructures for ultraviolet detection

Brazzini, Tommaso; Pandrey, Saurabh; Romero, María Fátima; Bokov, Pavel Yu.; Feneberg, Martin; Tabares, Gema; Cavallini, Anna; Goldhahn, Rüdiger; Calle, Fernando

In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; Vol. 52.2013, Art. 08jk04, insgesamt 4 S.

Peer-reviewed journal article

Multivalence-band calculation of the excitonic dielectric function for hexagonal GaN

Lenk, Steve; Schwarz, Felix; Goldhahn, Rüdiger; Runge, Erich

In: Journal of physics / Condensed matter - Bristol: IOP Publ., Bd. 25 (2013), 17

Peer-reviewed journal article

Negative spin-exchange splitting in the exciton fine structure of AlN

Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 102.2013, 5, Art. 052112, insgesamt 4 S.

Peer-reviewed journal article

N-type conductivity and properties of carbon-doped InN(0001) films grown by molecular beam epitaxy

Himmerlich, Marcel; Knübel, Andreas; Aidam, Rolf; Kirste, Lutz; Eisenhardt, Anja; Krischok, Stefan; Pezoldt, Jörg; Schley, Pascal; Sakalauskas, Egidijus; Goldhahn, Rüdiger; Félix, Rocío; Mánuel, José Manuel; Morales Sánchez, Francisco Miguel; Carvalho, Daniel; Ben, T.; García, Rafael; Koblmüller, Gregor

In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 113 (2013), 3, S. 033501, insges. 11 S.

Peer-reviewed journal article

Transition energies and direct-indirect band gap crossing in zinc-blende Al_{x}Ga_{1 x}N

Landmann, M.; Rauls, E.; Schmidt, W. G.; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Schupp, Thorsten; As, Donat J.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2013, 19, Art. 195210, insgesamt 21 S.

Habilitation

Hochauflösende Emissions- und Absorptionsspektroskopie an Halbleitern mit großer Bandlücke

Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2013, II, 49 S., graph. Darst., 30 cm

2012

Original article in peer-reviewed international journal

Growth of AlInN/AlGaN distributed Bragg reflectors for high quality microcavities

Berger, Christoph; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Franke, Alexander; Hempel, Thomas; Goldhahn, Rüdiger; Christen, Jürgen; Krost, Alois

In: Physica status solidi: pss: pss - Berlin: Wiley-VCH, 2002, Bd. 9.2012, 5, S. 1253-1258[Special Issue: 9th International Symposium on Crystalline Organic Metals, Superconductors and Ferromagnets (ISCOM 2011)]

Original article in peer-reviewed international journal

Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content

Romero, Michael F.; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, C.; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, Egidijus; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Growth studies on quaternary AlInGaN layers for HEMT application

Reuters, Benjamin; Wille, Ada; Holländer, Bernhard; Sakalauskas, Egidijus; Ketteniß, Nico; Mauder, Christof; Goldhahn, Rüdiger; Heuken, Michael; Kalisch, Holger; Vescan, Andrei

In: Journal of electronic materials: a joint publication of The Minerals, Metals & Materials Society and the Institute of Electrical and Electronics Engineers - Warrendale, Pa.: TMS, Bd. 41 (2012), 5, S. 905-909Kongress: Electronic Materials Conference (Santa Barbara, Calif. : 2011.06.22-24)

Original article in peer-reviewed international journal

Optical anisotropy of a-plane Al0.8In0.2N grown on an a-plane GaN pseudosubstrate

Sakalauskas, E.; Wieneke, Matthias; Dadgar, Armin; Gobsch, G.; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 209.2012, 1, S. 29-32

Original article in peer-reviewed international journal

Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content

Romero, Maria Fatima; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, E.; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Dielectric function and bowing parameters of InGaN alloys

Sakalauskas, Egidijus; Tuna, Ö.; Kraus, A.; Bremers, H.; Rossow, Uwe; Giesen, C.; Heuken, Michael; Hangleiter, Andreas; Gobsch, Gerhard; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 249 (2012), 3, S. 485-488

Original article in peer-reviewed international journal

Optical properties of cubic GaN from 1 to 20 eV

Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Schörmann, Jörg; Schupp, Thorsten; As, Donat J.; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review / B - College Park, Md.: APS, 85.2012, 15, Art. 155207, insgesamt 7 S.

2011

Original article in peer-reviewed international journal

Phosphorus implanted cadmium telluride solar cells

Kraft, C.; Brömel, A.; Schönherr, S.; Hädrich, M.; Reislöhner, U.; Schley, P.; Gobsch, G.; Goldhahn, Rüdiger; Wesch, W.; Metzner, H.

In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 519.2011, 21, S. 7153-7155

Original article in peer-reviewed international journal

Synchrotron-based photoluminescence excitation spectroscopy applied to investigate the valence band splittings in AlN and Al 0.94Ga 0.06N

Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Neuschl, Benjamin; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters - Melville, NY: AIP, 99.2011, 2, Art. 021903, insgesamt 3 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Dielectric function and optical properties of quaternary AlInGaN alloys

Sakalauskas, E.; Reuters, B.; Rahimzadeh Khoshroo, L.; Kalisch, H.; Heuken, M.; Vescan, A.; Röppischer, M.; Cobet, C.; Gobsch, G.; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013102, insgesamt 9 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Dielectric function of Al-rich AlInN in the range 1 - 18 eV

Sakalauskas, E.; Behmenburg, H.; Schley, P.; Gobsch, G.; Giesen, C.; Kalisch, H.; Jansen, R. H.; Heuken, M.; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1517-1519

Original article in peer-reviewed international journal

Sharp bound and free exciton lines from homoepitaxial AlN

Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Collazo, Ramón; Rice, Anthony; Sitar, Zlatko; Dalmau, Rafael; Xie, Jinqiao; Mita, Seiji; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1520-1522

Original article in peer-reviewed international journal

Growth and characterization of InGaN by RF-MBE

Kraus, A.; Hammadi, S.; Hisek, J.; Buß, R.; Jönen, H.; Bremers, H.; Rossow, Uwe; Sakalauskas, Egidijus; Goldhahn, Rüdiger; Hangleiter, Andreas

In: Journal of crystal growth / ed. N. Cabrera [u.a.] - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 323 (2011), 1, S. 72-75Kongress: International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE) 16 (Berlin : 2010.08.20-22)

Original article in peer-reviewed international journal

Electrical properties of Al xGa 1- xN/GaN heterostructures with low Al content

Köhler, Klaus; Müller, S.; Waltereit, Patrick; Pletschen, W.; Polyakov, Vladimir M.; Lim, T.; Kirste, L.; Menner, H. P.; Brückner, P.; Ambacher, Oliver; Buchheim, Carsten; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 109 (2011), 5, S. 053705, insges. 5 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Optical anisotropy of a-plane Al0.8In0.2N grown on an a-plane GaN pseudosubstrate

Sakalauskas, E.; Wieneke, Matthias; Dadgar, Armin; Gobsch, G.; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi / A - Weinheim: Wiley-VCH, insges. 4 S., 2011

Original article in peer-reviewed international journal

Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge

Rossbach, Georg; Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Werner, Christoph; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge

Rossbach, Georg; Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Werner, Christoph; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Optical properties of MgZnO alloys - excitons and exciton-phonon complexes

Neumann, M. D.; Cobet, C.; Esser, N.; Laumer, B.; Wassner, T. A.; Eickhoff, M.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013520, insgesamt 8 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Interplay of excitonic effects and van Hove singularities in optical spectra: CaO and AlN polymorphs

Riefer, A.; Fuchs, F.; Rödl, C.; Schleife, A.; Bechstedt, F.; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 84.2011, 7, Art. 075218, insgesamt 13 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Band structure and optical properties of hexagonal In-rich In xAl 1-xN alloys

Kumar, S.; Pandey, S.; Gupta, S. K.; Maurya, Tarun K.; Schley, P.; Gobsch, G.; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of physics / Condensed matter: a journal recognized by the European Physical Society - Bristol: IOP Publ. Ltd., 23.2011, 47, Art. 475801

Original article in peer-reviewed international journal

Investigation of the excitonic luminescence band of CdTe solar cells by photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy

Kraft, C.; Hädrich, M.; Metzner, H.; Reislöhner, U.; Schley, P.; Goldhahn, Rüdiger

In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 519.2011, 21, S. 7173-7175

2010

Original article in peer-reviewed international journal

Optical properties of InN grown on Si(111) substrate

Sakalauskas, Egidijus; Schley, Pascal; Räthel, Jochen; Klar, Thomas A.; Müller, René; Pezoldt, Jörg; Tonisch, Katja; Grandal, J.; Sánchez-García, M. A.; Calleja, E.; Vilalta-Clemente, A.; Ruterana, P.; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 207 (2010), 5, S. 1066-1069Kongress: E-MRS Fall Meeting, Symposium A: InN Material and Alloys (Warsaw : 2009.09.14-18)

Original article in peer-reviewed international journal

Valence-band splitting and optical anisotropy of AlN

Rossbach, G.; Röppischer, M.; Schley, P.; Gobsch, G.; Werner, C.; Cobet, C.; Esser, N.; Dadgar, Armin; Wieneke, Matthias; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, insges. 4 S.; Abstract

Original article in peer-reviewed international journal

Optical anisotropy of A- and M-plane InN grown on free-standing GaN substrates

Schley, Pascal; Räthel, Jochen; Sakalauskas, Egidijus; Gobsch, Gerhard; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Koblmüller, Gregor; Speck, James S.; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi / A - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 207 (2010), 5, S. 1062-1065Kongress: E-MRS Fall Meeting, Symposium A: InN Material and Alloys (Warsaw : 2009.09.14-18)

Original article in peer-reviewed international journal

Influence of the surface potential on electrical properties of Al x Ga1-x N/GaN heterostructures with different Al-content - effect of growth method

Köhler, K.; Müller, S.; Aidam, R.; Waltereit, P.; Pletschen, W.; Kirste, L.; Menner, H. P.; Bronner, W.; Leuther, A.; Quay, R.; Mikulla, M.; Ambacher, O.; Granzner, R.; Schwierz, F.; Buchheim, C.; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of applied physics . - Melville, NY : AIP, Bd. 107.2010, 5, insges. 5 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Comprehensive photoluminescence study of chlorine activated polycrystalline cadmium telluride layers

Kraft, C.; Metzner, H.; Hädrich, M.; Reislöhner, U.; Schley, Pascal; Gobsch, Gerhard; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of applied physics / publ. of the American Institute of Physics, AIP. Elmer Hutchisson, ed - Melville, NY: AIP, Bd. 108.2010, 12, S. 124503, insges. 8 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Dielectric function and optical properties of Al-rich AlInN alloys pseudomorphically grown on GaN

Sakalauskas, Egidijus; Behmenburg, Hannes; Hums, C.; Schley, Pascal; Rossbach, Georg; Giesen, C.; Heuken, Michael; Kalisch, Holger; Jansen, Rolf H.; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of physics / Institute of Physics ; Institute of Metals ; Institution of Metallurgists - Bristol: IOP Publ., Bd. 43 (2010), 36, S. 365102, insges. 10 S.

Original article in peer-reviewed international journal

MBE growth of cubic AlN on 3C-SiC substrate

Schupp, Thorsten; Rossbach, Georg; Schley, Pascal; Goldhahn, Rüdiger; Röppischer, Marcus; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Lischka, Klaus; As, Donat Josef

In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 207.2010, 6, S. 1365-1368

Original article in peer-reviewed international journal

Structural characterization of sputtered indium oxide films deposited at room temperature

Hotovy, I.; Pezoldt, J.; Kadlecikova, M.; Kups, T.; Spiess, L.; Breza, J.; Sakalauskas, E.; Goldhahn, Rüdiger; Rehacek, V.

In: Thin solid films . - Amsterdam [u.a.] Elsevier, Bd. 518.2010, 16, S. 4508-4511

Original article in peer-reviewed periodical-type series

Development of rugged 2 GHz power bars delivering more than 100 W and 60% power added efficiency

Waltereit, Patrick; Bronner, W.; Quay, Rüdiger; Dammann, M.; Müller, S.; Köhler, Klaus; Mikulla, M.; Ambacher, Oliver; Harm, L.; Lorenzini, M.; Rödle, T.; Riepe, K.; Bellmann, Konrad; Buchheim, Carsten; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, 2002, Bd. 7 (2010), 10, S. 2398-2403

Original article in peer-reviewed periodical-type series

Growth of atomically smooth cubic AlN by molecular beam epitaxy

Schupp, Thorsten; Rossbach, Georg; Schley, Pascal; Goldhahn, Rüdiger; Lischka, Klaus; As, Donat Josef

In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Bd. 7.2010, 1, S. 17-20[Special Issue: E-MRS 2009 Spring Meeting, Symposium J: Group III Nitride Semiconductors]

2009

Original article in peer-reviewed international journal

Influence of anisotropic strain on excitonic transitions in a-plane GaN films

Buchheim, Carsten; Röppischer, Marcus; Goldhahn, Rüdiger; Gobsch, Gerhard; Cobet, Christoph; Werner, C.; Esser, Norbert; Dadgar, Armin; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois

In: Microelectronics journal - Oxford: Elsevier Advanced Technology, Bd. 40 (2009), 2, S. 322-324

2007

Original article in peer-reviewed international journal

Modulation spectroscopy of AlGaN/GaN heterostructures - the influence of electron-hole interaction

Goldhahn, Rüdiger; Winzer, Andreas T.; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Weidemann, O.; Eickhoff, Martin

In: Physica status solidi: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 204 (2007), 2, S. 447-458

2006

Original article in peer-reviewed international journal

Electroreflectance spectroscopy of Pt/AlGaN/GaN heterostructures exposed to gaseous hydrogen

Winzer, Andreas T.; Goldhahn, Rüdiger; Gobsch, Gerhard; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Weidemann, Olaf; Stutzmann, Martin; Eickhoff, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 88 (2006), 2, S. 024101, insges. 3 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Influence of excitons and electric fields on the dielectric function of GaN: theory and experiment

Winzer, Andreas T.; Gobsch, Gerhard; Goldhahn, Rüdiger; Fuhrmann, Daniel; Hangleiter, Andreas; Dadgar, Armin; Krost, Alois

In: Physical review / B - College Park, Md.: APS, Bd. 74 (2006), 12, S. 125207, insges. 10 S.

2004

Peer-reviewed journal article

Temperature dependence of the built-in electric field strength of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate

Winzer, A. T.; Goldhahn, R.; Gobsch, G.; Dadgar, A.; Witte, H.; Krtschil, A.; Krost, A.

In: SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, Vol. 36, Issue 4-6, S. 693--700, 2004, 10.1016/j.spmi.2004.09.025

Projects

Current projects

Coordination chemistry of transition metals with alkynylamidinate ligands
Duration: 01.01.2020 bis 31.12.2026

Anionic amidinate ligands of the type [RC(NR')2]- have become indispensable tools in the coordination chemistry of virtually every metallic element in the Periodic Table. They enable the synthesis of new homogeneous catalysts as well as the design of volatile orecusors for ALD and CVD processes in materials science (e.g. phase-change and semiconductor materials). The main goal of the current research project is the investigation of alkynylamidinate ligands in the coordination chemistry of transition metals.

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Synthesis and structure of polysulfides
Duration: 01.01.2019 bis 31.12.2025

Major goal of this project is the synthesis and full characterization (IR, Raman, NMR, elemental analysis, X-ray structure determination) of polysulfide anions and their metal complexes.

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Fortsetzung: Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx II
Duration: 01.07.2020 bis 30.06.2024

Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).

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Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx II
Duration: 01.07.2020 bis 30.06.2024

Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).

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Completed projects

Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx
Duration: 01.07.2016 bis 30.06.2020

Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).

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Optische Eigenschaften und Bandstruktur von halbleitenden Metalloxiden
Duration: 01.01.2014 bis 31.10.2018

Als leitfähige transparente Kontaktmaterialen kommen verschiedene Metalloxid-Verbindungen in Frage, einige davon werden auch bereits technologisch genutzt. In diesem Projekt werden die grundlegenden Bandstruktureigenschaften vor allem für die Halbleiter In2O3, SnO2 und Ga2O3 untersucht, die erst seit kurzem auch in kristalliner Qualität zur Verfügung stehen. Dabei werden sowohl Einkristalle, als auch epitaktische dünne Filme untersucht, wobei die Proben Leitfähigkeiten von semi-isolierend bis metallisch aufweisen. Beispielhafte Ergebnisse der Untersuchungen beinhalten zum Beispiel die Bestimmung der Komponenten des Dielektrizitätstensors vom infraroten bis in den ultravioletten Spektralbereich, die Analyse dieser Daten zur Ermittlung der effektiven Massen der Ladungsträger, der fundamentalen Absorptionskanten sowie den Einfluss hoher Ladungsträgerdichten auf die Bandstruktur (Vielteilcheneffekte) und damit auf die optischen Eigenschaften.

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Photokatalytische Aktivität und Wasserstoffgeneration durch InGaN-Legierungen
Duration: 01.07.2015 bis 30.06.2017

Ziel ist es, das Potenzial der Gruppe-III-Nitrid-Halbleiter für die photo-elektrochemische Wasserspaltung zu evaluieren, d.h. die Bedingungen zur Erzeugung von Wasserstoff an der Halbleiter/Elektrolyt-Grenzfläche umfassend zu untersuchen und zu optimieren.  Im Rahmen des Projektes werden Untersuchungen an epitaktisch abgeschiedenen Schichten mittels (i) Spektralellipsometrie zur Bestimmung der Absorptionseigenschaften als Funktion der Schichtzusammensetzung, (ii) Photolumineszenz und elektrischer Methoden zur Ermittlung der Defekteigenschaften, (iii) photo-elektrochemischer Verfahren zur Bestimmung der Wasserstoffgeneration realsisiert.

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Exzitonen-Feinstruktur und Spin-Austausch-Aufspaltung in AlN und Al-reichen AlGaN-Legierungen mit Wurtzitstruktur
Duration: 01.05.2014 bis 28.02.2017

AlN-Voulmenkristalle und epitaktische Al-reiche AlGaN-Legierungen mit Wurtzitstruktur werden mittels Synchrotron-basierter Spektroskopischer Ellipsometrie im Energiebereich von 4 bis 20 eV bei tiefen Temperaturen untersucht. Die Datenanalyse liefert die ordentlichen und außerordentlichen Komponenten des Dielektrizitätstensors für Lichtpolarisation senkrecht und parallel zur optischen Achse. Die hochauflösenden Untersuchungen (Auflösung 0.5 meV) im Bereich der fundamentalen Absorptionskante (~6 eV) liefern die exzitonischen Übergangsenergien unter Beteiligung der drei höchsten Valenzbänder im Zentrum der Brillouinzone. Unter Berücksichtigung der optischen Auswahlregeln können zudem  die Symmetrien der  Exzitonen ermittelt werden, ihre Aufspaltung liefert Spin-Austausch-Energie. Die Verwendung epitaktischer Schichten mit unterschiedlichen Verspannungszuständen beantwortet die in der Literatur kontrovers diskutierte Frage nach dem Vorzeichen der Austausch-Energie.

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Excitons and exchange/correlation effects in emerging "old" metal oxides: dielectric functions of tin oxide and copper oxides
Duration: 01.03.2013 bis 28.02.2014

Applying synchrotron-based spectroscopic ellipsometry, we will determine the complex dielectric functions of tin oxide as well as copper oxides of different stoichiometry up to 20 (30) eV. The studies of SnO2 will reveal in addition the strong optical anisotropy at high energies. Samples with various electron/hole concentrations (influence of screening on electron-hole interaction) are investigated as a function of temperature. The experimental data will be compared to the available theory results. It serves as a test for the accuracy of various exchange/correlation potentials and quasi-particles schemes used for the calculations.

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Electronic and optical properties of group-III nitride alloys: A combined theoretical and experimental study
Duration: 01.04.2013 bis 15.12.2013

Theoretical and experimental studies will be combined in order to get a better understanding of the structural, band structure and optical properties of group-III nitrides in the hexagonal and cubic crystal structure. The project focuses on the ternary and quaternary alloy systems. Ellipsometry by the group of Magdeburg provides the dielectric functions from the near infrared into the ultraviolet spectral region obtained by ellipsometry for various compositions, characteristic transition energies related to critical points of the band structure as well as the valence band density of states extracted from photoelectron spectroscopy measurements. The theory results needed for the interpretation will be provided by the group of India. Density functional theory in the Engel-Vosko’s corrected generalized gradient approximation for exchange and correlation combined with GW perturbation calculations yields the lattice parameters, excited states band structure, density of state, and the quasi-independent dielectric function. The inclusion of electron-hole interaction leads finally to the excitonic DF to be compared with the experimental data and allowing critical point assignment. The increase of the supercell to 64-atom allows to enhance the reliability of the theory results.

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High quality material and intrinsic properties of InN and indium rich nitride alloys - (the RAINBOW ITN)
Duration: 01.10.2008 bis 30.09.2012

Indium nitride is a new narrow gap semiconductor (<0.7 eV), which, alloyed with GaN (3.5 eV) and AlN (6.2 eV), will allow the spectral range from telecom to hard UV wavelengths to be covered. This narrow band gap makes InN an exciting material from which to develop the highest efficiency solar cells. Moreover, due to an electron mobility of around 4000 cm2/Vs and very high saturation velocities, InN is an ideal material for the development of high electron mobility devices capable of operating in the Terahertz range. To ensure the production of reliable commercial devices, rigorous fundamental research is required to understand the layer growth mechanisms and optimize material properties. In the RAINBOW academic and industrial consortium, the theoretical work will encompass modelling of the atomic structure and properties of the material from empirical potentials to ab initio techniques. Experiments will provide correlated structural, electronic, optical and chemical information from the nano to the macroscopic scale. In a closely concerted effort, we will determine the best conditions for the growth of highest quality InN and In rich (In,Ga,Al)N alloys by the main growth techniques (MOVPE, PAMBE, and HVPE). Under the supervision of world leading experts, numerous ER/ESRs will directly benefit from this interdisciplinary and multisectorial research and training effort. The ER/ESRs involved in this programme will also learn to manage research and industrial projects.

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Partner
  • Prof. Donat J. As, Universität Paderborn
  • Prof. Martin Eickhoff, Universität Bremen
  • Prof. Norbert Esser, Leibniz-Institut für Analytische Wissenschaften Berlin
  • Dr. Sudhir Kumar, M.J.P. Rohilkhand University Bareilly, Appl. Phys. Dept., India
  • Prof. Matthias Bickermann, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
  • Dr. Z. Galazka, Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
  • Prof. S. Fischer, Humboldt-Universität zu Berlin
  • Leibniz-Institut für Kristallzüchtung Berlin
  • Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik
  • Humboldt-Universität zu Berlin
  • Fritz-Haber-Institut Berlin
  • Prof. M. Grundmann, Universität Leipzig
  • TU Berlin
  • Ferdinand-Braun-Institut - Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik
CV

1981-1986

Studium an der TH Ilmenau, Fachrichtung Elektronische Bauelemente

1986

Diplomarbeit auf dem Gebiet Hableiterphysik, Forschungspreis der TH Ilmenau

1985-1988

Forschungsstudium an der TH Ilmenau

1989

Dissertation (Promotion A) auf dem Gebiet Halbleiterphysik zum Thema Elektroreflexions-Tiefenprofilanalyse von III-V-Halbleiterschichtstrukturen

1988-1993

Wissenschaftlicher Assistent

1993

Förderpreis der Deutschen Akademie der Naturforscher - Leopoldina

1993-1994

Gastwissenschaftler am Physics Department der Universität Nottingham

1994-2010

Wissenschaftlicher Mitarbeiter am Institut für Physik der TU Ilmenau, Leiter der Labore für Optische Spektroskopie

2009

Habilitation und Ernennung zum Privatdozenten für das Gebiet "Experimentalphysik"

seit Februar 2010

W3-Professur für Experimentalphysik/Materialphysik an der Otto-von-Guericke Universität Magdeburg

seit Februar 2010

Gastprofessur am Institut für Physik der TU Ilmenau

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