Prof. Dr. M. Feneberg

Prof. Dr. rer. nat. Martin Feneberg

Faculty of Natural Science
Department of Material Physics
Laboratory Head
Building 16, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg, G16-039
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Publications

2024

Abstract

Photoluminescence study of corundum-like α-Ga2O3

Hölzer, Lennart; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Akaiwa, Kazuaki; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL25.1 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Abstract

Red shift of the absorption onset in orthorhombic κ-(InxGa1−x)2O3 alloys

Kluth, Elias; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL25.2 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Abstract

Temperature dependent free carrier concentration in GaN:Si

Harms, Christina; Grümbel, Jona; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 36.58 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Abstract

Multiphonon Raman scattering in rocksalt ScN

Wolf, Stefan; Grümbel, Jona; Oshima, Yuichi; Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.9 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Abstract

Optical properties of cubic InxGa1−xN thin films

Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Zscherp, Mario; Jentsch, Silas A.; Chatterjee, Sangam; Schörmann, Jörg; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.2 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Abstract

Time-resolved ellipsometry on degenerately doped cubic GaN

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.1 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Abstract

n-type doping of GaN via pulsed sputter epitaxy

Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Grümbel, Jona; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Strittmatter, André

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2024, Artikel HL 1.4 [Tagung: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft, Berlin, 17.-22. März 2024]

Peer-reviewed journal article

Polarity in liquid crystals formed by self-assembled umbrella-shaped subphthalocyanine mesogens

Murad, Ahmad; Baron, Elias; Feneberg, Martin; Baumann, Maximilian; Lehmann, Matthias; Eremin, Alexey

In: ACS applied materials & interfaces / American Chemical Society - Washington, DC : Soc., Bd. 16 (2024), Heft 19, S. 25025-25032

Peer-reviewed journal article

Polarity in Liquid Crystals Formed by Self-Assembled Umbrella-Shaped Subphthalocyanine Mesogens

Murad, Ahmad; Baron, Elias; Feneberg, Martin; Baumann, Maximilian; Lehmann, Matthias; Eremin, Alexey

In: ACS Applied Materials & Interfaces, Bd. 16, Heft 19, S. 25025-25032

2023

Abstract

n-type doping of GaN via co-sputtering

Hörich, Florian; Grümbel, Jona; Bläsing, Jürgen; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Strittmatter, André

In: International Workshop on Magnetron Sputter Epitaxy 2023, 19 - 20 Oktober, 2023, Dresden, S. 0, https://www.fep.fraunhofer.de/de/events/iwmse-2023.html#353032739

Abstract

Topologically-assisted self-assembly driven tilting in nematic liquid crystal hybrids with dendronised nanoparticles

Hähsler, Martin; Nadasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Geisselmann, Frank; Ermin, Alexey; Behrens, Silke

In: ICMF 2023 - Granada, S. 94, Artikel PP-OP-16

Abstract

Optical properties of rocksalt ScN

Feneberg, Martin; Grümbel, Jona; Lüttich, Christopher; Dadgar, Armin; Oshima, Yuichi; Dubroka, Adam; Ramsteiner, Manfred; Goldhahn, Rüdiger

In: Konferenz: 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023, ICNS-14 - Fukuoka, Japan . - 2023, Artikel CH2-2

Abstract

Photovoltaic and nonlinear optical properties of complex self-assembled liquid crystal structures

Murad, Ahmad; Eremin, Alexey; Feneberg, Martin; Baumann, Maximilian; Lehmann, Matthias; Allasar, Mohamed

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel CPP 7.3

Abstract

Temperature dependent Raman spectroscopy on GaN:Si

Harms, Christina; Grümbel, Jona; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 33.42

Abstract

Optical properties of ScN films grown by HVPE and sputter epitaxy

Grümbel, Jona; Oshima, Yuichi; Lüttich, Christopher; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.9

Abstract

Temperature dependent spectroscopic ellipsometry on cubic GaN

Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 51.10

Abstract

Temperature dependent spectroscopic ellipsometry on cubic GaN

Rose, Jonas; Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: WSE 2023 - Prag, Artikel 61-We-O

Abstract

Analysis of pump-probe absorption edge spectroscopy on cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Deppe, Michael; As, Donat J.

In: WSE 2023 - Prag, Artikel 06-Tu-O

Abstract

Anisotropic IR active phonon modes and fundamental direct band-to-band transitions in α-(AlxGa1−x)2O3 alloys grown by MOCVD

Kluth, Elias; Bhuiyan, A F M Anhar Uddin; Meng, Lingyu; Zhao, Hongping; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2023, Artikel HL 41.4

Peer-reviewed journal article

Synthesis and structural characterization of divalent transition metal alkynylamidinate complexes

Wang, Sida; Liebing, Phil; Feneberg, Martin; Sroor, Farid M.; Engelhardt, Felix; Hilfert, Liane; Busse, Sabine; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.

In: European journal of inorganic chemistry - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 26 (2023), Heft 14, Artikel e202300027

Peer-reviewed journal article

Time-resolved pump–probe spectroscopic ellipsometry of cubic GaN II - absorption edge shift with gain and temperature effects

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 7, Artikel 075703, insges. 8 S.

Peer-reviewed journal article

Determination of anisotropic optical properties of MOCVD grown m-plane α-(AlxGa1−x)2O3 alloys

Kluth, Elias; Anhar Uddin Bhuiyan, A. F. M.; Meng, Lingyu; Bläsing, Jürgen; Zhao, Hongping; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Japanese journal of applied physics - Bristol : IOP Publ., Bd. 62 (2023), Heft 5, Artikel 051001, insges. 8 S.

Peer-reviewed journal article

Epitaxial synthesis of unintentionally doped p-type SnO (001) via suboxide molecular beam epitaxy

Egbo, Kingsley; Luna, Esperanza; Lähnemann, Jonas; Hoffmann, Georg F.; Trampert, Achim; Grümbel, Jona; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver

In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 133 (2023), Heft 4, Artikel 045701, insges. 11 S.

Peer-reviewed journal article

Redshift and amplitude increase in the dielectric function of corundum-like -(TixGa1 x)2O3

Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Smith, Emily Rose; Stoppiello, Craig; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 122 (2023), Heft 9, Artikel 092101, insges. 7 S.

Peer-reviewed journal article

Time-resolved pump-probe spectroscopic ellipsometry of cubic GaN. I. - Determination of the dielectric function

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 134 (2023), Heft 7, Artikel 075702, insges. 11 S.

Dissertation

Effekte freier Ladungsträger auf die optischen Eigenschaften von kubischem Galliumnitrid

Baron, Elias; Feneberg, Martin

In: Magdeburg: Universitätsbibliothek, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2023, 1 Online-Ressource (ix, 122 Seiten, 4,87 MB) [Literaturverzeichnis: Seite 111-121]

2022

Abstract

Femtosecond pump-probe absorption edge spectroscopy of cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradnik, Martin; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin, 2022 . - 2022, S. 5

Abstract

Optical properties of the AlScN ternary system

Grümbel, Jona; Baron, Elias; Lüttich, Christopher; Hörich, Florian; Borgmann, Ralf; Bläsing, Jürgen; Strittmatter, André; Goldhahn, Rüdiger; Dadgar, Armin; Feneberg, Martin

In: International Workshop on Nitride Semiconductors - Berlin . - 2022, S. 263, Artikel AT 195

Abstract

Determination of relaxation in thin InGaAs-films by Raman spectroscopy

Friedemann Schulz, Johann; Henksmeier, Tobias; Feneberg, Martin; Kluth, Elias; Reuter, Dirk; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Abstract

Remote heteroepitaxy of In(x)Ga(1-x)As on graphene covered GaAs(001) substrates

Henksmeier, Tobias; Schulz, Friedemann; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, Dirk

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Abstract

Shift of the absoption onset in corundum-like α-(TixGa 1 x) 2O 3

Kluth, Elias; Fay, Michael; Parmenter, Christopher; Roberts, Joseph; Massabuau, Fabien; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Abstract

Ultra-fast change of the absorption onset in undoped cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft/ Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef: DPG, 1997 . - 2022

Abstract

Magnetic tilting in ferronematic hybrid materials driven by self assembly

Eremin, Alexey; Hähsler, Martin; Nadasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Giesselmann, Frank; Behrens, Silke

In: 28th International Liquid Crystal Conference, ILCC 2022 - Lisbon, 2022 . - 2022

Abstract

The polar phases of umbrella-shaped star mesogens

Lehmann, M.; Baumann, M.; Murad, Ahmad; Feneberg, Martin; Eremin, Alexey; Singh, D.; Kantorovich, Sofia

In: 28th International Liquid Crystal Conference, ILCC 2022 - Lisbon, 2022 . - 2022

Abstract

Impact of growth techniques and post-growth annealing on electronic and phononic properties of -Ga2O3

Janzen, Benjamin M.; Peltason, Vivien F. S.; Hajizadeh, Níma; Hartung, Conrad; Marggraf, Marcella N.; Nippert, Felix; Gillen, Roland; Maultzsch, J.; Mazzolini, Piero; Fornari, Roberto; Bosi, Matteo; Seravalli, Luca; Karg, Alexander; Eickhoff, Martin; Kneiß, Max; Wenckstern, Holger; Grundmann, Marius; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ardenghi, Andrea; Bierwagen, Oliver; Wagner, Markus R.

In: The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - The IWGO2022 Steering Committee, 2022 . - 2022, S. 206-207

Abstract

Anisotropic IR active phonon modes and fundamental direct band-to-band transitions in α-(AlxGa1-x)2O3 alloys grown by MOCVD

Kluth, Elias; Bhuiyan, A. F. M. Anhar Uddin; Meng, Lingyu; Zhao, Hongping; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials - The IWGO2022 Steering Committee, 2022 . - 2022, S. 232-233

Peer-reviewed journal article

Small compound - big colors - synthesis and structural investigation of brightly colored alkaline earth metal 1,3-dimethylviolurates

Lorenz, Volker; Liebing, Phil; Müller, Matthias; Hilfert, Liane; Feneberg, Martin; Kluth, Elias; Kühling, Marcel; Buchner, Magnus Richard; Goldhahn, Rüdiger; Edelmann, Frank T.

In: Dalton transactions - London : Soc., Bd. 51 (2022), Heft 20, S. 7975-7985

Peer-reviewed journal article

Tackling disorder in γ-Ga 2O 3

Ratcliff, Laura E.; Oshima, Takayoshi; Nippert, Felix; Janzen, Benjamin M.; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Mazzolini, Piero; Bierwagen, Oliver; Wouters, Charlotte; Nofal, Musbah; Albrecht, Martin; Swallow, Jack E. N.; Jones, Leanne A. H.; Thakur, Pardeep K.; Lee, Tien-Lin; Kalha, Curran; Schlueter, Christoph; Veal, Tim D.; Wagner, Markus R.; Regoutz, Anna

In: Advanced materials - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 34 (2022), 37, insges. 15 S.

Peer-reviewed journal article

Optical properties of corundum-structured In 2O 3

Cuscó, Ramon; Yamaguchi, Tomohiro; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 121 (2022), 6

Peer-reviewed journal article

Remote epitaxy of InxGa1-xAs (0 0 1) on graphene covered GaAs(0 0 1) substrates

Henksmeier, T.; Schulz, Johann Friedemann; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Sanchez, A. M.; Voigt, M.; Grundmeier, G.; Reuter, D.

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 593 (2022)

Peer-reviewed journal article

Enhanced light extraction efficiency of UV LEDs by encapsulation with UV-transparent silicone resin

Wu, Shaojun; Guttmann, Martin; Lobo-Ploch, Neysha; Gindele, Frank; Susilo, Norman; Knauer, Arne; Kolbe, Tim; Raß, Jens; Hagedorn, Sylvia; Cho, Hyun Kyong; Hilbrich, Katrin; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Einfeldt, Sven; Wernicke, Tim; Weyers, Markus; Kneissl, Michael

In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Bd. 37 (2022), 6, insges. 6 S.

Peer-reviewed journal article

Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGax) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity

Papadogianni, Alexandra; Wouters, Charlotte; Schewski, Robert; Feldl, Johannes; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred; Albrecht, Martin; Bierwagen, Oliver

In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Bd. 6 (2021), 3, insges. 11 S., 2022

Peer-reviewed journal article

Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5

Gorelov, Vitaly; Reining, Lucia; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schleife, André; Lambrecht, Walter R. L.; Gatti, Matteo

In: npj computational materials - London: Nature Publ. Group, Bd. 8 (2022), insges. 9 S.

Peer-reviewed journal article

Anharmonicity of lattice vibrations in thin film α-Ga 2O 3 investigated by temperature dependent Raman spectroscopy

Grümbel, Jona; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 120 (2022), Heft 2, insges. 7 S.

Non-peer-reviewed journal article

Tackling disorder in γ-Ga2O3

Ratcliff, Laura E.; Oshima, Takayoshi; Nippert, Felix; Janzen, Benjamin M.; Kluth, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Mazzolini, Piero; Bierwagen, Oliver; Wouters, Charlotte; Nofal, Musbah; Albrecht, Martin; Swallow, Jack E. N.; Jones, Leanne A. H.; Thakur, Pardeep K.; Lee, Tien-Lin; Kalha, Curran; Schlueter, Christoph; Veal, Tim D.; Varley, Joel B.; Wagner, Markus R.; Regoutz, Anna

In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 40 S.

Non-peer-reviewed journal article

Delocalization of dark and bright excitons in flat-band materials and the optical properties of V 2O 5

Gorelov, Vitaly; Reining, Lucia; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schleife, André; Lambrecht, Walter R. L.; Gatti, Matteo

In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 14 S.

Non-peer-reviewed journal article

Femtosecond pump-probe absorption edge spectroscopy of cubic GaN

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Espinoza, Shirly; Zahradník, Martin; Rebarz, Mateusz; Andreasson, Jakob; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2022, insges. 11 S.

Non-peer-reviewed journal article

Epitaxial synthesis of unintentionally doped p-type SnO (001) via suboxide molecular beam epitaxy

Egbo, Kingsley; Luna, Esperanza; Lähnemann, Jonas; Hoffmann, Georg F.; Trampert, Achim; Grümbel, Jona; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver

In: De.arxiv.org - [S.l.] : Arxiv.org . - 2022, Artikel 2209.11678, insges. 23 S.

2021

Abstract

Magnetic tilting in nematic liquid crystals driven by self-assembly

Hähsler, Martin; Nádasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Giesselmann, Frank; Behrens, Silke; Eremin, Alexey B.

In: Polarity and chirality in soft matter - Ljubljana, 2021; Vilfan, Mojca . - 2021, insges. 1 S.

Abstract

Free-carrier concentration and many-body effects in cubic Al xGa 1-xN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.

In: WSE 11 - Linz: Johannes Kepler University Linz, 2021 . - 2021, S. 12

Peer-reviewed journal article

Optical evidence of many-body effects in the zincblende AlxGa1-xN alloy system

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.

In: Journal of physics / D - Bristol: IOP Publ., Volume 54 (2021), isuue 2, article 025101, 12 Seiten

Peer-reviewed journal article

Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga) 2O 3 alloy films

Feldl, Johannes; Feneberg, Martin; Papadogianni, Alexandra; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Bd. 119 (2021), 4, insges. 6 S.

Peer-reviewed journal article

Selective area growth of cubic gallium nitride on silicon (001) and 3C-silicon carbide (001)

Meier, F.; Protte, M.; Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, D.; As, D. J.

In: AIP Advances - New York, NY: American Inst. of Physics, Bd. 11 (2021), 7, insges. 7 S.

Peer-reviewed journal article

Origin of defect luminescence in ultraviolet emitting AlGaN diode structures

Feneberg, Martin; Romero, Fátima; Goldhahn, Rüdiger; Wernicke, Tim; Reich, Christoph; Stellmach, Joachim; Mehnke, Frank; Knauer, Arne; Weyers, Markus; Kneissl, Michael

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Bd. 118 (2021), Heft 20, Artikel 202101, insges. 6 S.

Peer-reviewed journal article

Magnetic tilting in nematic liquid crystals driven by self-assembly

Hähsler, Martin; Nádasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Giesselmann, Frank; Behrens, Silke; Eremin, Alexey B.

In: Advanced functional materials - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 31 (2021), 31, insges. 7 S.

Non-peer-reviewed journal article

Molecular beam epitaxy of single-crystalline bixbyite (In 1 xGa x) 2O 3 films (x≤0.18) - structural properties and consequences of compositional inhomogeneity

Papadogianni, Alexandra; Wouters, Charlotte; Schewski, Robert; Feldl, Johannes; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Kluth, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred; Albrecht, Martin; Bierwagen, Oliver

In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2021, insges. 15 S.

Non-peer-reviewed journal article

Magnetic tilting in nematic liquid crystals driven by self-assembly

Hähsler, Martin; Nádasi, Hajnalka; Feneberg, Martin; Marino, Sebastian; Giesselmann, Frank; Behrens, Silke; Eremin, Alexey B.

In: De.arxiv.org - [S.l.]: Arxiv.org . - 2021, insges. 7 S.

Non-peer-reviewed journal article

Bandgap widening and behavior of Raman-active phonon modes of cubic single-crystalline (In,Ga) 2O 3 alloy films

Feldl, Johannes; Feneberg, Martin; Papadogianni, Alexandra; Lähnemann, Jonas; Nagata, Takahiro; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger; Ramsteiner, Manfred

In: De.arxiv.org - [S.l.] : Arxiv.org . - 2021, Artikel 2104.08092, insges. 11 S.

2020

Abstract

Raman-Spectroscopy of corundum-like α-Ga 2O 3 grown by HVPE

Grümbel, Jona; Ning, Pingfan; Bläsing, Jürgen; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef : DPG - 2020, Vortrag: HL 72.2

Abstract

Phonons and free-carrier contributions of spinel ZnGa 2O 4 by spectroscopic ellipsometry

Wüthrich, Alwin; Feneberg, Martin; Galazka, Zbigniew; Goldhahn, Rüdiger

In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 72.4

Abstract

Size-effect of donors on the lattice parameters of wurtzite GaN

Kluth, Elias; Lange, Karsten; Wienecke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.3

Abstract

Impact of high free-carrier concentrations on optical properties of cubic GaN

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: DPG-Frühjahrstagung - Bad Honnef: DPG, 2020, 2020, Vortrag: HL 68.1

Peer-reviewed journal article

Polarization fields in semipolar (2021) and (2021) InGaN light emitting diodes

Freytag, Stefan; Winkler, Michael; Goldhahn, Rüdiger; Wernicke, Tim; Rychetsky, Monir; Koslow, Ingrid L.; Kneissl, Michael; Dinh, Duc V.; Corbett, Brian; Parbrook, Peter J.; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics - Volume 116(2020), Issue 6, Article 062106

Peer-reviewed journal article

The impurity size-effect and phonon deformation potentials in wurtzite GaN

Kluth, Elias; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen P.; Witte, Hartmut; Lange, Karsten; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Semiconductor science and technology - Bristol: IOP Publ., Volume 35 (2020), issue 9, 9 Seiten

Peer-reviewed journal article

Lattice vibrations and optical properties of α-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy

Ning, Pingfan; Grümbel, Jona; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Jeon, Dae-Woo; Feneberg, Martin

In: Semiconductor science and technology - Bristol : IOP Publ. - Volume 35 (2020), issue 9, article 095001, 7 Seiten

Peer-reviewed journal article

Rubidium and cesium enediamide complexes derived from bulky 1,4-diazadienes

Duraisamy, Ramesh; Liebing, Phil; Harmgarth, Nicole; Lorenz, Volker; Hilfert, Liane; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Engelhardt, Felix; Edelmann, Frank T.

In: ACS omega - Washington, DC: ACS Publications, Bd. 5 (2020), 30, S. 19061-19069

Dissertation

Optische Untersuchung von semipolaren InGaN/GaN-Quantengräben mit der Kristallorientierung (202̄1̄) und (202̄1)

Freytag, Stefan; Feneberg, Martin

In: Magdeburg, Dissertation Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg, Fakultät für Naturwissenschaften 2020, 114 Seiten [Literaturverzeichnis: Seite 101-113]

2019

Abstract

IR-Vis-UV optical properties of [alpha]-Ga 2O 3 films grown by halide vapor phase epitaxy

Ning, Pingfan; Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Son, Hoki; Jeon, Dae-Woo; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL16.12

Abstract

Effective electron mass anisotropy in [alpha]-Ga 2O 3

Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Akaiwa, Kazuaki

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL9.2

Abstract

Orbital contributions to the electron g-factor in semiconductor nanowires

Winkler, Michael; Brähmer, Hagen; Feneberg, Martin; Esser, Norbert; Monroy, Eva; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL31.6

Abstract

All-optical determination of free-carrier concentration and composition in cubic GaN and AlGaN

Baron, Elias; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; As, Donat J.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2019, Art. HL24.4

Peer-reviewed journal article

Photoluminescence line shape analysis of highly ntype doped zincblende GaN

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH . - 2019, insges. 5 S.

Peer-reviewed journal article

Anisotropic optical properties of highly doped rutile SnO 2 - valence band contributions to the Burstein-Moss shift

Feneberg, Martin; Lidig, Christian; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.; Bierwagen, Oliver; Galazka, Zbigniew; Goldhahn, Rüdiger

In: APL materials - Melville, NY : AIP Publ. - Vol. 7.2019, 2, Art. 022508

Peer-reviewed journal article

Catenated and spirocyclic polychalcogenides from potassium carbonate and elemental chalcogens

Liebing, Phil; Kühling, Marcel; Swanson, Claudia; Feneberg, Martin; Hilfert, Liane; Goldhahn, Rüdiger; Chivers, Tristram; Edelmann, Frank T.

In: Chemical communications - Cambridge: Soc., Bd. 55 (2019), 99, S. 14965-14967

Peer-reviewed journal article

Anisotropic phonon properties and effective electron mass in α-Ga 2O 3

Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Sekiyama, Takahito; Ota, Katsuya; Akaiwa, Kazuaki; Ichino, Kunio; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 114.2019, 4, Art. 142102, insgesamt 5 Seiten

Peer-reviewed journal article

Influence of the free-electron concentration on the optical properties of zincblende GaN up to 1×10 20cm -3

Baron, Elias; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.; Feneberg, Martin

In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Volume 3 (2019), Issue 10, Article 104603, insgesamt 11 Seiten

2018

Abstract

Optical properties of metastable polytypes of Ga2O3

Feneberg, Martin

In: SPIE Photonics West: San Francisco, USA, 27 January - 1 February 2018 - SPIE, 2018 . - 2018[Konferenz: Optoelectronics, Photonic Materials and Devices Conference, OPTO, San Francisco, USA, 27.01.-01.02. 2018]

Abstract

Plasmonic properties of degenerately Ge-Doped Cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.

In: WSE 10: Workshop Ellipsometry, March 19 - 21, 2018, Chemnitz, Germany : abstract-book - Chemnitz, 2018 . - 2018, S. 36

Abstract

Parametric model for the anisotropic dielectric function of m-plane AlGaN up to 20eV

Winkler, Michael; Feneberg, Martin; Chichibu, Shigefusa F.; Collazo, Ramón; Sitar, Zlatko; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. HL27.10

Abstract

Influence of many-body effects on optical properties of III-Nitrides

Feneberg, Martin

In: Reliable and quantitative prediction of defect properties in Ga-based semiconductors: October 8-12, 2018 - CECAM, 2018 . - 2018

Abstract

Optical properties of transparent conducting oxides from mid-infrared to vacuum-ultraviolet

Feneberg, Martin

In: E-MRS 2018 Fall Meeting, Symposium R: New frontiers in wide-bandgap semiconductors and heterostructures for electronics, optoelectronics and sensing - eMSR, 2018, 2018, Art. R. 10.7[E-MRS 2018 fall meeting, Warsaw, 17 - 20 September 2018]

Abstract

Structural, optical and electronic properties of single-crystalline (In1-xGax)2O3 thin films in the low-x bixbyite phase end

Papadogianni, Alexandra; Nagata, Takahiro; Wouters, Charlotte; Albrecht, Martin; Feldl, Johannes; Ramsteiner, Manfred; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Bierwagen, Oliver

In: 7th International Symposium Transparent Conductive Materials, E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium Advanced Oxides and Wide Bandgap Semiconductors: 14-19 October 2018, Crete, Greece ; Abstract book - TCM, 2018, 2018, TCM-O45.ID-10, S. 171

Abstract

Characterization of the dielectric function of RScO3 type scandates

Kuznetsov, Sergey; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. Berlin 2018 - Bad Honnef: DPG, 2018, 2018, Art. DS 3.10

Abstract

Revision of the TO phonon frequencies in wurtzite and zincblende GaN

Feneberg, Martin; Baron, Elias; Kluth, Elias; Lange, Karsten; Donat, As; Deppe, Michael; Tacken, Fabian; Wieneke, Matthias; Bläsing, Jürgen; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger

In: IWN 2018: International Workshop on Nitride Semiconductors, November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan - Kanazawa, 2018 . - 2018

Peer-reviewed journal article

Structural, optical, and electrical properties of unintentionally doped NiO layers grown on MgO by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Budde, Melanie; Tschammer, Carsten; Franz, Philipp; Feldl, Johannes; Ramsteiner, Manfred; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin; Barsan, Nicolae; Oprea, Alexandru; Bierwagen, Oliver

In: Journal of applied physics - Melville, NY : American Inst. of Physics - Vol. 123.2018, 19, Art. 195301, insgesamt 19 S.

Peer-reviewed journal article

Ordinary dielectric function of corundumlike α Ga 2O 3 from 40 meV to 20 eV

Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Artús, Lluis; Cuscó, Ramon; Yamaguchi, Tomohiro; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review materials - College Park, MD : APS - Vol. 2.2018, 4, Art. 044601

Peer-reviewed journal article

Anisotropic optical properties of metastable (0112)α Ga2O3 grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Kracht, M.; Karg, A.; Feneberg, Martin; Bläsing, Jürgen; Schörmann, J.; Goldhahn, Rüdiger; Eickhoff, M.

In: Physical review applied - College Park, Md. [u.a.] : American Physical Society - Vol. 10.2018, 2, Art. 024047

Peer-reviewed journal article

Valence band tomography of wurtzite GaN by spectroscopic ellipsometry

Feneberg, Martin; Winkler, Michael; Lange, Karsten; Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Dadgar, Armin; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics express: APEX - Tokyo: Ōyō Butsuri-Gakkai, Vol. 11.2018, 10, Art. 101001

Peer-reviewed journal article

Optical properties of In 2O 3 from experiment and first-principles theory - influence of lattice screening

Schleife, André; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Galazka, Zbigniew; Gottwald, Alexander; Nixdorf, Jakob; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: New journal of physics - [Bad Honnef] : Dt. Physikalische Ges. - Vol. 20.2018, Art. 053016, insgesamt 13 S.

2017

Abstract

Effective electron mass in cubic GaN

Baron, Elias; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Deppe, Michael; As, Donat J.

In: Verhandlungen der Deutschen Physikalischen Gesellschaft / Deutsche Physikalische Gesellschaft - Bad Honnef : DPG . - 2017, Artikel HL 50.2

Peer-reviewed journal article

Band gap of corundumlike α-Ga 2O 3 determined by absorption and ellipsometry determined by absorption and ellipsometry

Segura, A.; Artús, L.; Cuscó, R.; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Physical review materials - College Park, MD: APS, Vol. 1.2017, 2, Art. 024604

Peer-reviewed journal article

Structural and optical characterization of AlGaN multiple quantum wells grown on semipolar (20-21) bulk AlN substrate

Wunderer, Thomas; Yang, Zhihong; Feneberg, Martin; Batres, Max; Teepe, Mark; Johnson, Noble

In: Applied physics letters - Melville, NY : American Inst. of Physics, Vol. 11.2017, 11, Art. 111101

2016

Peer-reviewed journal article

Unintentional indium incorporation into barriers of InGaN/GaN multiple quantum wells studied by photoreflectance and photoluminescence excitation spectroscopy

Freytag, Stefan; Feneberg, Martin; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Callsen, Gordon; Hoffmann, Axel; Bokov, Pavel; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 120.2016, 1, Art. 015703

Peer-reviewed journal article

Erratum: Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift

Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Lidig, Christian; Goldhahn, Rüdiger; Galazka, Zbigniew; Bierwagen, Oliver; Speck, James S.

In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Vol. 93.2016, 23, Art. 239905

Peer-reviewed journal article

Many-electron effects on the dielectric function of cubic In 2 O 3 - effective electron mass, band nonparabolicity, band gap renormalization, and Burstein-Moss shift

Feneberg, Martin; Nixdorf, Jakob; Lidig, Christian; Goldhahn, Rüdiger; Galazka, Zbigniew; Bierwagen, Oliver; Speck, James S.

In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 93 (2016), 4

Peer-reviewed journal article

Stimulated emission via electron-hole plasma recombination in fully strained single InGaN/GaN heterostructures

Minj, A.; Romero, M. F.; Wang, Y.; Tuna, Ö.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Schmerber, G.; Ruterana, P.; Giesen, C.; Heuken, M.

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 109.2016, 22, Art. 221106

Peer-reviewed journal article

Oxygen vacancies induced DX center and persistent photoconductivity properties of high quality ZnO nanorods

Xie, Yong; Madel, Manfred; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Jie, Wanqi; Hao, Yue; Ma, Xiaohua; Thonke, Klaus

In: Materials Research Express : MRX. - Bristol : IOP Publ; Vol. 3.2016, 4, Art. 045011, insgesamt 7 S.

Peer-reviewed journal article

Dominance of radiative recombination from electron-beam-pumped deep-UV AlGaN multi-quantum-well heterostructures

Tabataba-Vakili, Farsane; Wunderer, Thomas; Kneissl, Michael; Yang, Zhihong; Teepe, Mark; Batres, Max; Feneberg, Martin; Vancil, Bernard; Johnson, Noble M.

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, 1962, Vol. 109.2016, 18, Art. 181105

Peer-reviewed journal article

Optical properties of the organic-inorganic hybrid perovskite CH3NH3PbI3 - theory and experiment

Demchenko, D. O.; Izyumskaya, N.; Feneberg, Martin; Avrutin, V.; Özgür, Ü.; Goldhahn, Rüdiger; Morkoç, H.

In: Physical review - Woodbury, NY: Inst., Bd. 94 (2016), 7

Peer-reviewed journal article

Inversion of absorption anisotropy and bowing of crystal field splitting in wurtzite MgZnO

Neumann, M. D.; Esser, N.; Chauveau, J.-M.; Goldhahn, Rüdiger; Feneberg, Martin

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 108.2016, 22, Art. 221105, insgesamt 6 S.

2015

Book chapter

Optical properties and band structure of highly doped gallium nitride

Goldhahn, Rüdiger; Lange, Karsten; Feneberg, Martin

In: Proceedings of SPIE/ SPIE - Bellingham, Wash.: SPIE, Vol. 9363.2015, Art. 93630G

Peer-reviewed journal article

Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures

Bokov, P. Yu.; Brazzini, T.; Romero, M. F.; Calle, F.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Semiconductor science and technology: devoted exclusively to semiconductor research and applications - Bristol: IOP Publ, Vol. 30.2015, 8, Art. 085014, insgesamt 6 S.

Peer-reviewed journal article

Zeeman spectroscopy of the internal transition 4 T 1 to 6 A 1 of Fe 3+ ions in wurtzite GaN

Neuschl, Benjamin; Gödecke, Laura; Thonke, Klaus; Lipski, Frank; Klein, Martin; Scholz, Ferdinand; Feneberg, Martin

In: Journal of applied physics: AIP's archival journal for significant new results in applied physics - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 118.2015, 21, Art. 215705, insgesamt 11 S.

Peer-reviewed journal article

Strongly transverse-electric-polarized emission from deep ultraviolet AlGaN quantum well light emitting diodes

Reich, Christoph; Guttmann, Martin; Feneberg, Martin; Wernicke, Tim; Mehnke, Frank; Kuhn, Christian; Rass, Jens; Lapeyrade, Mickael; Einfeldt, Sven; Knauer, Arne; Kueller, Viola; Weyers, Markus; Goldhahn, Rüdiger; Kneissl, Michael

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 107.2015, 14, Art. 142101, insgesamt 6 S.

Peer-reviewed journal article

Optical properties of defects in nitride semiconductors

Tischer, Ingo; Hocker, Matthias; Neuschl, Benjamin; Madel, Manfred; Feneberg, Martin; Schirra, Martin; Frey, Manuel; Knab, Manuel; Maier, Pascal; Wunderer, Thomas; Leute, Robert A. R.; Wang, Junjun; Scholz, Ferdinand; Biskupek, Johannes; Bernhard, Jörg; Kaiser, Ute; Simon, Ulrich; Dieterle, Levin; Groiss, Heiko; Müller, Erich; Gerthsen, Dagmar; Thonke, Klaus

In: Journal of materials research: JMR - Warrendale, Pa: MRS, insges. 14 S., 2015

Peer-reviewed journal article

Electrical transport properties of Ge-doped GaN nanowires

Schäfer, M.; Günther, M.; Länger, C.; Müßener, J.; Feneberg, Martin; Uredat, P.; Elm, M. T.; Hille, P.; Schörmann, J.; Teubert, J.; Henning, T.; Klar, P. J.; Eickhoff, M.

In: Nanotechnology - Bristol: IOP Publ, Vol. 26.2015, 13, Art. 135704, insgesamt 9 S.

Peer-reviewed journal article

Exciton luminescence in AlN triggered by hydrogen and thermal annealing

Feneberg, Martin; Son, Nguyen Tien; Kakanakova-Georgieva, Anelia

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 106.2015, Art. 242101, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Structural and optical properties of MBE-grown asymmetric cubic GaN/Al x Ga 1- x N double quantum wells

Wecker, T.; Hörich, Florian; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Reuter, D.; As, D. J.

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 873-878

Peer-reviewed journal article

Effect of carrier gas in hydride vapor phase epitaxy on optical and structural properties of GaN

Gridneva, E.; Richter, E.; Feneberg, Martin; Weyers, M.; Goldhahn, Rüdiger; Tränkle, G.

In: Physica status solidi / B - Weinheim: Wiley-VCH, Bd. 252.2015, 5, S. 1180-1188

Peer-reviewed journal article

Anisotropic optical properties of semipolar AlGaN layers grown on m-plane sapphire

Feneberg, Martin; Winkler, Michael; Klamser, Juliane; Stellmach, Joachim; Frentrup, Martin; Ploch, Simon; Mehnke, Frank; Wernicke, Tim; Kneissl, Michael; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters - Melville, NY: American Inst. of Physics, Vol. 106.2015, 18, Art. 182102, insgesamt 5 S.

2014

Peer-reviewed journal article

Polarization of photoluminescence emission from semi-polar (1122) AlGaN layers

Netzel, Carsten; Stellmach, Joachim; Feneberg, Martin; Frentrup, Martin; Winkler, Michael; Mehnke, Frank; Wernicke, Tim; Goldhahn, Rüdiger; Kneissl, Michael; Weyers, Markus

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, 5, Art. 051906

Peer-reviewed journal article

Temperature dependent dielectric function and reflectivity spectra of nonpolar wurtzite AlN

Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger

In: Thin solid films: international journal on the science and technology of condensed matter films - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, 1967, Vol. 571.2014, part 3, S. 502-595

Peer-reviewed journal article

Optical properties of magnesium doped Al x Ga1 x N (0.61 ≤ x ≤ 0.73)

Feneberg, Martin; Osterburg, Sarah; Romero, María Fátima; Garke, Bernd; Goldhahn, Rüdiger; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Yan, Jianchang; Zeng, Jianping; Wang, Junxi; Li, Jinmin

In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 114.2014, Art. 143103, insgesamt 8 S.

Peer-reviewed journal article

Band gap renormalization and Burstein-Moss effect in silicon- and germanium-doped wurtzite GaN up to 1020 cm-3

Feneberg, Martin; Osterburg, Sarah; Lange, Karsten; Lidig, Christian; Garke, Bernd; Goldhahn, Rüdiger; Richter, Eberhard; Netzel, Carsten; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Fritze, Stephanie; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois

In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 90.2014, 7, Art. 075203, insgesamt 10 S.

Peer-reviewed journal article

Ordinary and extraordinary dielectric functions of rutile SnO2 up to 20 eV

Feneberg, Martin; Lidig, Christian; Lange, Karsten; Goldhahn, Rüdiger; Neumann, Maciej D.; Esser, Norbert; Bierwagen, Oliver; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 104.2014, Art. 231106, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Nanoscale characterisation of semiconductors by cathodoluminescence

Thonke, K.; Tischer, I.; Hocker, M.; Schirra, M.; Fujan, K.; Wiedenmann, M.; Schneider, R.; Frey, M.; Feneberg, Martin

In: IOP conference series. - London [u.a.] : Institute of PhysicsIOP conference series / Materials science and engineering; Vol. 55.2014, Art. 012018, insgesamt 21 S.

Peer-reviewed journal article

Anisotropy of the electron effective mass in rutile SnO2 determined by infrared ellipsometry

Feneberg, Martin; Lidig, Christian; Lange, Karsten; White, Mark E.; Tsai, Min Y.; Speck, James S.; Bierwagen, Oliver; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, Bd. 211.2014, 1, S. 82-86

Peer-reviewed journal article

Composition dependent valence band order in c-oriented wurtzite AlGaN layers

Neuschl, B.; Helbing, J.; Knab, M.; Lauer, H.; Madel, M.; Thonke, K.; Meisch, T.; Forghani, K.; Scholz, F.; Feneberg, Martin

In: Journal of applied physics. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 116.2014, 11, Art. 113506, insgesamt 9 S.

2013

Peer-reviewed journal article

Transition energies and direct-indirect band gap crossing in zinc-blende Al_{x}Ga_{1 x}N

Landmann, M.; Rauls, E.; Schmidt, W. G.; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Schupp, Thorsten; As, Donat J.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2013, 19, Art. 195210, insgesamt 21 S.

Peer-reviewed journal article

Anisotropy of effective electron masses in highly doped nonpolar GaN

Feneberg, Martin; Lange, Karsten; Lidig, Christian; Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 23, Art. 232104, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Excitonic recombination in epitaxial lateral overgrown AlN on sapphire

Reich, Christoph; Feneberg, Martin; Kueller, Viola; Knauer, Arne; Wernicke, Tim; Schlegel, Jessica; Frentrup, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Weyers, Markus; Kneissl, Michael

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 21, Art. 212108, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Direct determination of the silicon donor ionization energy in homoepitaxial AlN from photoluminescence two-electron transitions

Neuschl, B.; Thonke, K.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger; Wunderer, T.; Yang, Z.; Johnson, N. M.; Xie, J.; Mita, S.; Rice, A.; Collazo, R.; Sitar, Z.

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, 12, Art. 122105, insgesamt 5 S.

Peer-reviewed journal article

Anisotropic absorption and emission of bulk (1-100) AlN

Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review. - College Park, Md : APSPhysical review / B; Vol. 87.2012, 23, Art. 235209, insgesamt 9 S., 2013

Peer-reviewed journal article

Ge as a surfactant in metal-organic vapor phase epitaxy growth of a-plane GaN exceeding carrier concentrations of 10 20 cm -3

Wieneke, Matthias; Witte, Hartmut; Lange, Karsten; Feneberg, Martin; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Goldhahn, Rüdiger; Krost, Alois

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 103.2013, Art. 012103, insgesamt 4 S.

Peer-reviewed journal article

Studies on defect reduction in AlGaN heterostructures by integrating an in-situ SiN interlayer

Scholz, Ferdinand; Forghani, Kamran; Klein, Martin; Klein, Oliver; Kaiser, Ute; Neuschl, Benjamin; Tischer, Ingo; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Lazarev, Sergey; Bauer, Sondes; Baumbach, Tilo

In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; Vol. 52.2013, Art. 08JJ07, insgesamt 4 S.

Peer-reviewed journal article

Impact of AlN Spacer on metalsemiconductormetal PtInAlGaN/GaN heterostructures for ultraviolet detection

Brazzini, Tommaso; Pandrey, Saurabh; Romero, María Fátima; Bokov, Pavel Yu.; Feneberg, Martin; Tabares, Gema; Cavallini, Anna; Goldhahn, Rüdiger; Calle, Fernando

In: Japanese journal of applied physics. - Tokyo : Inst. of Pure and Applied Physics; Vol. 52.2013, Art. 08jk04, insgesamt 4 S.

Peer-reviewed journal article

Systematic optical characterization of two-dimensional electron gases in InAlN/GaN-based heterostructures with different in content

Romero, María Fátima; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, Egidijus; Calle, Fernando; Goldhahn, Rüdiger

In: Japanese journal of applied physics - Bristol: IOP Publ, Vol. 52.2013, Art. 08jk02, insgesamt 4 S.

Peer-reviewed journal article

Negative spin-exchange splitting in the exciton fine structure of AlN

Feneberg, Martin; Romero, María Fátima; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Bickermann, Matthias; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters. - Melville, NY : American Inst. of Physics; Vol. 102.2013, 5, Art. 052112, insgesamt 4 S.

Habilitation

Hochauflösende Emissions- und Absorptionsspektroskopie an Halbleitern mit großer Bandlücke

Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Habil.-Schr., 2013, II, 49 S., graph. Darst., 30 cm

2012

Peer-reviewed journal article

Silicon-on-insulator based ZnO nanowire photodetector

Xie, Yong; Madel, Manfred; Neuschl, Benjamin; Jie, Wanqi; Röder, Uwe; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus

In: Journal of vacuum science & technology. - New York, NY : InstJournal of vacuum science & technology / B, Bd. 30.2012, 6, insges. 5 S.

Peer-reviewed journal article

Growth-induced stacking faults of ZnO nanorods probed by spatial resolved cathodoluminescence

Xie, Yong; Jie, Wan-Qi; Wang, Tao; Wiedenmann, Michael; Neuschl, Benjamin; Madel, Manfred; Wang, Ya-Bin; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus

In: Chinese physics letters. - Bristol : IOP Publ, Bd. 29.2012, 7, insges. 5 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Luminescence from two-dimensional electron gases in InAlN/GaN heterostructures with different In content

Romero, Maria Fatima; Feneberg, Martin; Moser, Pascal; Berger, Christoph; Bläsing, Jürgen; Dadgar, Armin; Krost, Alois; Sakalauskas, E.; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 21, insges. 4 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Optical properties of cubic GaN from 1 to 20 eV

Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Cobet, Christoph; Esser, Norbert; Schörmann, Jörg; Schupp, Thorsten; As, Donat J.; Hörich, Florian; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review / B - College Park, Md.: APS, 85.2012, 15, Art. 155207, insgesamt 7 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Suppression of gallium inhomogeneity in ZnO nanostructures on GaN using seed layers

Xie, Yong; Jie, Wanqi; Reiser, Anton; Feneberg, Martin; Tischer, Ingo; Wiedenmann, Michael; Madel, Manfred; Frey, Reinhard; Roeder, Uwe; Thonke, Klaus

In: Materials letters. - New York, NY [u.a.] : Elsevier, Bd. 83.2012, S. 31-34

Original article in peer-reviewed international journal

Growth of AlN bulk crystals on SiC seeds - chemical analysis and crystal properties

Bickermann, Matthias; Filip, Octavian; Epelbaum, Boris M.; Heimann, Paul; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Wedler, Elke; Winnacker, Albrecht

In: Journal of crystal growth. - Amsterdam : North-Holland Publ. Co, Bd. 339.2012, 1, S. 13-21

Original article in peer-reviewed international journal

Optical identification of silicon as a shallow donor in MOVPE grown homoepitaxial AlN

Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Feneberg, Martin; Mita, Seiji; Xie, Jinqiao; Dalmau, Rafael; Collazo, Ramón; Sitar, Zlatko

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / B, Bd. 249.2012, 3, S. 511-515

Original article in peer-reviewed international journal

Enforced c-axis growth of ZnO epitaxial chemical vapor deposition films on a-plane sapphire

Xie, Yong; Madel, Manfred; Zoberbier, Thilo; Reiser, Anton; Jie, Wanqi; Neuschl, Benjamin; Biskupek, Johannes; Kaiser, Ute; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus

In: Applied physics letters. - Melville, NY : AIP, Bd. 100.2012, 18, insges. 4 S.

2011

Book chapter

Photoluminescence of ZnO - basics and applications

Thonke, Klaus; Feneberg, Martin

In: Handbook of luminescent semiconductor materials - Boca Raton, Fla: CRC Press/Taylor & Francis, S. 87-124, 2011

Original article in peer-reviewed international journal

Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge

Rossbach, Georg; Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Werner, Christoph; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Influence of exciton-phonon coupling and strain on the anisotropic optical response of wurtzite AlN around the band edge

Rossbach, Georg; Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Werner, Christoph; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Dadgar, Armin; Bläsing, Jürgen; Krost, Alois; Goldhahn, Rüdiger

In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, 83.2011, 19, Art. 195202, insgesamt 7 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Catalytic growth of hexagonally aligned ZnO nanorods

Madel, Manfred; Xie, Yong; Tischer, Ingo; Neuschl, Benjamin; Feneberg, Martin; Frey, Reinhard; Thonke, Klaus

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 8, S. 1915-1918

Original article in peer-reviewed international journal

Molecular beam epitaxy based growth of cubic GaN quantum dots

Schupp, Thorsten; Meisch, Tobias; Neuschl, Benjamin; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Lischka, Klaus; As, Donat Josef

In: Physica status solidi / C: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 8.2011, 5, S. 1495-1498

Original article in peer-reviewed international journal

Growth and characterization of AlN and AlGaN epitaxial films on AlN single crystal Substrates

Dalmau, R.; Moody, B.; Schlesser, R.; Mita, S.; Xie, J.; Feneberg, Martin; Neuschl, B.; Thonke, K.; Collazo, R.; Rice, A.; Tweedie, J.; Sitar, Z.

In: Journal of the Electrochemical Society - Pennington, NJ: Electrochemical Society, 158.2011, 5, S. H530-H535

Original article in peer-reviewed international journal

Synchrotron-based photoluminescence excitation spectroscopy applied to investigate the valence band splittings in AlN and Al 0.94Ga 0.06N

Feneberg, Martin; Röppischer, Marcus; Esser, Norbert; Cobet, Christoph; Neuschl, Benjamin; Meisch, Tobias; Thonke, Klaus; Goldhahn, Rüdiger

In: Applied physics letters - Melville, NY: AIP, 99.2011, 2, Art. 021903, insgesamt 3 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Sharp bound and free exciton lines from homoepitaxial AlN

Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Collazo, Ramón; Rice, Anthony; Sitar, Zlatko; Dalmau, Rafael; Xie, Jinqiao; Mita, Seiji; Goldhahn, Rüdiger

In: Physica status solidi / A: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 208.2011, 7, S. 1520-1522

Original article in peer-reviewed international journal

Light-emitting diode based on mask- and catalyst-free grown N-polar GaN nanorods

Kunert, G.; Freund, W.; Aschenbrenner, T.; Kruse, C.; Figge, S.; Schowalter, M.; Rosenauer, A.; Kalden, J.; Sebald, K.; Gutowski, J.; Feneberg, Martin; Tischer, I.; Fujan, K.; Thonke, K.; Hommel, D.

In: Nanotechnology - Bristol: IOP Publishing Ltd., 22.2011, 26, Art. 265202, insgesamt 6 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Three-dimensional GaN for semipolar light emitters

Wunderer, T.; Feneberg, Martin; Lipski, F.; Wang, J.; Leute, R. A. R.; Schwaiger, S.; Thonke, K.; Chuvilin, A.; Kaiser, U.; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Beirne, G. J.; Jetter, M.; Michler, P.; Schade, L.; Vierheilig, C.; Schwarz, U. T.; Dräger, A. D.; Hangleiter, A.; Scholz, F.

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 549-560

Original article in peer-reviewed international journal

Stacking fault-related luminescence features in semi-polar GaN

Tischer, Ingo; Feneberg, Martin; Schirra, Martin; Yacoub, Hady; Sauer, Rolf; Thonke1, Klaus; Wunderer, Thomas; Scholz, Ferdinand; Dieterle, Levin; Müller, Erich; Gerthsen, Dagmar

In: Physica status solidi / B: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 248.2011, 3, S. 611-615

Original article in peer-reviewed international journal

I 2 basal plane stacking fault in GaN - origin of the 3.32 eV luminescence band

Tischer, Ingo; Feneberg, Martin; Schirra, Martin; Yacoub, Hady; Sauer, Rolf; Thonke, Klaus; Wunderer, Thomas; Scholz, Ferdinand; Dieterle, Levin; Müller, Erich; Gerthsen, Dagmar

In: Physical review / B - Ridge, NY: APS, Bd. 83.2011, 3, S. 035314-1-035314-6

Original article in peer-reviewed international journal

In-situ deposited SiNx nanomask for crystal quality improvement in AlGaN

Forghani, Kamran; Gharavipour, Mohammadreza; Klein, Martin; Scholz, Ferdinand; Klein, Oliver; Kaiser, Ute; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus

In: Physica status solidi / C: pss - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 8.2011, 7/8, S. 2063-2065

Original article in peer-reviewed international journal

Zinc-blende GaN quantum dots grown by vaporliquidsolid condensation

Schupp, T.; Meisch, T.; Neuschl, B.; Feneberg, Martin; Thonke, K.; Lischka, K.; As, D. J.

In: Journal of crystal growth - Amsterdam [u.a.]: Elsevier, Bd. 323.2011, 1, S. 286-289

Original article in peer-reviewed international journal

Optical properties of MgZnO alloys - excitons and exciton-phonon complexes

Neumann, M. D.; Cobet, C.; Esser, N.; Laumer, B.; Wassner, T. A.; Eickhoff, M.; Feneberg, Martin; Goldhahn, Rüdiger

In: Journal of applied physics - Melville, NY: AIP, 110.2011, 1, Art. 013520, insgesamt 8 S.

2010

Book chapter

Transparent microelectrode array in diamond technology

Gao, Z.; Carabelli, V.; Carbone, E.; Colombo, E.; Dipalo, M.; Manfredotti, C.; Pasquarelli, A.; Feneberg, Martin; Thonke, K.; Vittone, E.; Kohn, E.

In: 2009 IEEE International Conference on Nano/Molecular Medicine and Engineering . - IEEE, ISBN 978-1-424-45528-7, S. 282-285; AbstractKongress: NanoMed; (Tainan) : 2009.10.18-21

Original article in peer-reviewed international journal

Light emission from nanocrystalline silicon clusters embedded in silicon dioxide - role of the suboxide states

Romanyuk, Andriy; Melnik, Viktor; Olikh, Yaroslav; Biskupek, Johannes; Kaiser, Ute; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Oelhafen, Peter

In: Journal of luminescence . - Amsterdam : North-Holland Publ. Co., Bd. 130.2010, 1, S. 87-91

Original article in peer-reviewed international journal

Cathodoluminescence of GaInN quantum wells grown on nonpolar a plane GaN: Intense emission from pit facets

Fujan, Kim J.; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Meisch, T.; Tischer, Ingo; Thonke, Klaus; Schwaiger, Stephan; Izadi, Ida; Scholz, Ferdinand; Lechner, Lorenz; Biskupek, Johannes; Kaiser, Ute

In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 97.2010, 10, insges. 3 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Droplet epitaxy of zinc-blende GaN quantum dots

Schupp, Thorsten; Meisch, Tobias; Neuschl, Benjamin; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Lischka, Klaus; As, Donat J.

In: Journal of crystal growth . - Amsterdam : North-Holland Publ. Co., Bd. 312.2010, 21, S. 3235-3237

Original article in peer-reviewed international journal

High-excitation and high-resolution photoluminescence spectra of bulk AlN

Feneberg, Martin; Leute, Robert A. R.; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Bickermann, Matthias

In: Physical review . - Ridge, NY : APS, Bd. 82.2010, 7, insges. 8 S.

Original article in peer-reviewed international journal

Piezoelectric polarization of semipolar and polar GaInN quantum wells grown on strained GaN templates

Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Wunderer, Thomas; Lipski, Frank; Scholz, Ferdinand

In: Journal of applied physics . - Melville, NY : AIP, Bd. 107.2010, 10, insges. 6 S.

Original article in peer-reviewed international journal

The role of stacking faults and their associated 0.13 eV acceptor state in doped and undoped ZnO layers and nanostructures

Thonke, Klaus; Schirra, Martin; Schneider, Raoul; Reiser, Anton; Prinz, Günther M.; Feneberg, Martin; Sauer, Rolf; Biskupek, Johannes; Kaiser, Ute

In: Physica status solidi . - Weinheim : Wiley-VCH, Bd. 247.2010, 6, S. 1464-1468

Original article in peer-reviewed international journal

Deep-UV transparent bulk single-crystalline AlN substrates

Bickermann, Matthias; Epelbaum, Boris M.; Filip, Octavian; Heimann, Paul; Feneberg, Martin; Nagata, Shunro; Winnacker, Albrecht

In: Physica status solidi . - Berlin : Wiley-VCH, Abstract

Original article in peer-reviewed international journal

GaInN-based LED structures on selectively grown semi-polar crystal facets

Scholz, Ferdinand; Wunderer, Thomas; Feneberg, Martin; Thonke, Klaus; Chuvilin, Andrei; Kaiser, Ute; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / A, 2010

Original article in peer-reviewed international journal

Three-dimensional GaN for semipolar light emitters

Wunderer, Thomas; Feneberg, Martin; Lipski, Frank; Wang, Junjun; Leute, Robert; Schwaiger, Stephan; Thonke, Klaus; Chuvilin, Andrei; Kaiser, Ute; Metzner, Sebastian; Bertram, Frank; Christen, Jürgen; Beirne, Gareth; Jetter, Michael; Michler, Peter; Schade, Lukas; Vierheilig, Clemens; Schwarz, Ulrich; Dräger, Alexander; Hangleiter, Andreas; Scholz, Ferdinand

In: Physica status solidi. - Weinheim : Wiley-VCHPhysica status solidi / B, insges. 12 S., 2010

Original article in peer-reviewed international journal

Quaternary Al xIn yGa 1-x-yN layers deposited by pulsed metal-organic vapor-phase epitaxy for high efficiency light emission

Jetter, M.; Wächter, C.; Meyer, A.; Feneberg, Martin; Thonke, K.; Michler, P.

In: Journal of crystal growth . - Amsterdam [u.a.] : Elsevier, insges. 4 S.; Abstract

Original article in peer-reviewed international journal

Cathodoluminescence and photoluminescence study on AlGaN layers grown with SiN x interlayers

Neuschl, B.; Fujan, K. J.; Feneberg, Martin; Tischer, I.; Thonke, K.; Forghani, K.; Klein, M.; Scholz, F.

In: Applied physics letters . - Melville, NY : AIP, Bd. 97.2010, 19, S. 192108-1-192108-3

Original article in peer-reviewed international journal

High quality AlGaN epilayers grown on sapphire using SiN x interlayers

Forghani, K.; Klein, M.; Lipski, F.; Schwaiger, S.; Hertkorn, J.; Leute, R. A. R.; Scholz, F.; Feneberg, Martin; Neuschl, B.; Thonke, K.; Klein, O.; Kaiser, U.; Gutt, R.; Passow, T.

In: Journal of crystal growth . - Amsterdam [u.a.] : Elsevier; Abstract

Original article in peer-reviewed periodical-type series

Growth and characterization of AlN and AlGaN epitaxial films on AlN single crystal substrates

Dalmau, Rafael; Moody, Baxter; Schlesser, Raoul; Mita, Seiji; Xie, Jinqiao; Feneberg, Martin; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Collazo, Ramón; Rice, Anthony; Tweedie, James; Sitar, Zlatko

In: State-of-the-art program on compound semiconductors 52 (SOTAPOCS 52) . - Pennington, NJ : Electrochemical Soc., ISBN 978-1-607-68182-3, S. 43-54; ECS transactions; 33,13Kongress: SOTAPOCS; 52 (Las Vegas) : 2010.10.10-15

Original article in peer-reviewed periodical-type series

Growth of cubic GaN quantum dots

Schupp, T.; Meisch, T.; Neuschl, B.; Feneberg, Martin; Thonke, K.; Lischka, K.; As, D.

In: 2010 wide bandgap cubic semiconductors: from growth to devices. - Melville, NY : American Inst. of Physics, S. 165-168 - (AIP conference proceedings; 1292)Kongress: E-MRS Symposium F; (Strasbourg) : 2010.06.08-10

2006

Original article in peer-reviewed international journal

Investigations on local Ga and In incorporation of GaInN quantum wells on facets of selectively grown GaN stripes

Neubert, B.; Habel, F.; Brückner, P.; Scholz, F.; Schirra, M.; Feneberg, M.; Thonke, K.; Riemann, Till; Christen, Jürgen; Beer, M.; Zweck, J.; Moutchnik, G.; Jetter, M.

In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 3 (2006), 6, S. 1587-1590

Original article in peer-reviewed international journal

Investigations on local Ga and In incorporation of GaInN quantum wells on facets of selectively grown GaN stripes

Neubert, B.; Habel, F.; Brückner, P.; Scholz, F.; Schirra, M.; Feneberg, M.; Thonke, K.; Riemann, Till; Christen, Jürgen; Beer, M.; Zweck, J.; Moutchnik, G.; Jetter, M.

In: Physica status solidi / C - Berlin: Wiley-VCH, Bd. 3 (2006), 6, S. 1587-1590

Projects

Current projects

Coordination chemistry of transition metals with alkynylamidinate ligands
Duration: 01.01.2020 bis 31.12.2026

Anionic amidinate ligands of the type [RC(NR')2]- have become indispensable tools in the coordination chemistry of virtually every metallic element in the Periodic Table. They enable the synthesis of new homogeneous catalysts as well as the design of volatile orecusors for ALD and CVD processes in materials science (e.g. phase-change and semiconductor materials). The main goal of the current research project is the investigation of alkynylamidinate ligands in the coordination chemistry of transition metals.

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Synthesis and structure of polysulfides
Duration: 01.01.2019 bis 31.12.2025

Major goal of this project is the synthesis and full characterization (IR, Raman, NMR, elemental analysis, X-ray structure determination) of polysulfide anions and their metal complexes.

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Übergangsmetall-nitrid-AlGaN Schichten mittets Sputterepitaxie für elektronische Anwendungen
Duration: 17.08.2021 bis 16.08.2025

Goal of this project is to identify specific TM-group-III-N layers with epitaxial quality for a potential application in group-III-nitride electronics. For this we will first study the properties of pure and alloyed group-IIIb-, -IVb-, and -Vb-nitrides (Cr, V, Ti, Sc, Nb, Zr, Ta, Hf) with AlN and in some cases also with GaN. This will result in a database of material parameters, namely crystal structure, lattice parameter, electrical and optical properties for a wide range of compositions.
Their potential should be then evaluated within the framework of thin films applied as active layers, i.e. for polarization optimization in HEMTs, novel HEMT structures as, for example, GaN/ScN/GaN binary high mobility electron channels or as thicker films for an application as highly conductive buffer layer and electrically conducting strain engineering layers, enabling true vertical electronic devices on Si substrates. For the latter pure TMN alloys or TMN alloys with AlN are the most promising candidates, while for active layers, apart from binary TMN layers, also alloys with GaN are interesting.

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Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx II
Duration: 01.07.2020 bis 30.06.2024

Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).

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Completed projects

Ellipsometriemessungen für UV-transparente Materialien
Duration: 01.04.2019 bis 31.12.2023

Materialien für die Verkapselung von UV-Leuchtdioden müssen neben UV-Transparenz auch einen definierten und reproduzierbar einstellbaren Brechungsindex aufweisen, um technologisch interessant zu sein. In diesem Projekt werden verschiedene Kandidatenmaterialien für die Verkapselung von nitridischen UV-Leuchtdioden mit spektroskopischer Ellipsometrie grundcharakterisiert. Dabei werden Brechungsindex und Absorptionskoeffizient der Materialien bestimmt.

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Transition metal-nitride-AlGaN layers for electronic applications by sputtering epitaxy
Duration: 01.01.2022 bis 31.12.2023

To further enhance GaN power electronics and enable new device
structures as well as device designs we will investigate transition
metal based nitrides and their alloys as well as their alloys with AlN
and GaN. This with the goal to enable true vertical electronics on low
cost silicon substrates and lateral enhancement-mode high electron
mobility transistors (HEMT) allowing for higher current densities and,
therefore more compact device size. In addition we will apply a new
growth method, pulsed sputtering epitaxy, which is capable of growing
high quality GaN layers at temperatures below 800 °C and thus offers
a huge potential for Si CMOS integration of GaN electronics. To
identify new materials suited to achieve conducting buffer layers for
subsequent GaN epitaxy as well as to achieve new or better
functionalities of group-III-N based devices we will investigate
transition metal (TM) nitrides also alloyed with AlN and GaN for their
potential in group-III-nitride electronic applications. For this we will first
study the properties of pure and alloyed group-IIIb -IVb and -Vbnitrides
(Cr, V, Ti, Sc, Nb, Zr, Ta, Hf) with AlN and in some cases also
with GaN. Our goal is a database on crystal structure, lattice
parameter, electrical and optical properties for a wide range of
compositions. In detail the potential will then be investigated for thin
films for applications as active layer in electronic devices, e.g. for
polarization optimization in HEMTs, novel HEMT structures with, e.g.
binary, highly conducting GaN/ScN/GaN channels, as thicker highly
conducting film, or as electrically conducting strain engineering layer,
enabling true vertical electronic devices on Si substrates. For the
latter pure TMN alloys or TMN alloys with AlN are the most promising
candidates, while for active layers, apart from binary TMN layers, also
alloys with GaN are interesting. Based on the properties of TMNs
known to date, we expect that fully vertical devices on Si as well as
better HEMT devices are achievable which will primarily result in a
further increase in power density of GaN based devices.

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Das Parameter-Projekt
Duration: 01.01.2016 bis 31.12.2022

Ziel des Projekts ist die experimentelle Bestimmung fundamentaler Parameter und der Bandstruktur moderner Halbleitermaterialien. Im Fokus stehen vor allem Galliumnitrid (GaN), sowohl in der wurtzit als auch in der zinkblende Modifikation, Indiumoxid (In2O3), aber auch weitere Nitride und Oxide.

Neben der Bandlücke, sind die wichtigsten Parameter jedes Halbleiters die effektiven Massen von Elektronen und Löchern. Überraschenderweise sind diese bislang nur sehr ungenau bekannt. Das Parameter-Projekt setzt es sich zum Ziel, möglichst umfassend diese und weitere Materialparameter zu bestimmen. Neben einer genauen Charakterisierung der untersuchten Systeme ist die Methodenentwicklung ein zentralen Bestandteil der Arbeiten. Die verwendeten Techniken sollen universell einsetzbar sein und sich prinzipiell auf verschiedenste Materialsysteme übertragen lassen.

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Synthese und Charakterisierung von Polysulfiden
Duration: 01.01.2019 bis 31.12.2022

Polysulfidanionen und ihre Metallkomplexe werden synthetisiert und grundlegend charakterisiert. Dabei kommen Ramanspektroskopie, Infrarotspektroskopie, NMR, Elementaranalyse und Röntgenbeugung zur Strukturaufklärung zum Einsatz.

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Wachstum und fundamentale Eigenschaften von Oxiden für elektronische Anwendungen - GraFOx
Duration: 01.07.2016 bis 30.06.2020

Die binären Metalloxide und ihre Legierungen (In,Ga,Al)2O3 gehören zu den Materialien mit größter Einstellbarkeit der physikalischen Eigenschaften. Sie umfassen Isolatoren, Halbleiter und Leiter, sie finden Anwendung in magnetischen und ferroelektrischen Schichten und erlauben somit die Entwicklung einer neuen Generation von elektronischen Bauelementen. Die Herstellung von Oxidstrukturen mit höchster Materialqualität und das Verständnis der fundamentalen physikalischen Eigenschaften sind von grundlegender Bedeutung für die Entwicklung anwendungsorientierter Technologien. Dies ist Gegenstand des Leibniz ScienceCampus Growth and fundamentals of oxides for electronic applications - GraFOx . Der Fokus der Arbeiten in der Abteilung Materialphysik liegt auf der Bestimmung der dielektrischen Funktion vom mittleren infraroten bis in den vakuum-ultravioletten Spektralbereich (auch unter Anwendung von Synchrotronstrahlung), der Ermittlung fundamentaler Bandstruktureigenschaften und der Analyse von Vielteilcheneffekten in hochdotierten transparent-leitfähigen Oxiden (TCOs).

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Fundamentale Eigenschaften hochdotierter III-Nitridhalbleiter
Duration: 01.01.2014 bis 31.08.2016

Die technologisch, wissenschaftlich und kommerziell extrem wichtige II-Nitrid Halbleiterfamilie erlaubt die Herstellung von p-dotiertem, undotiertem (semi-isolierenden) bis zu hoch n-dotiertem Material. Die optischen Eigenschaften sind stark abhängig von der Dotierung. In diesem Projekt werden grundlegende Zusammenhänge zwischen Dotierung und linearer optischer Antwort systematisch untersucht. Das fängt bei der effektiven Elektronmasse an, schließt die Phonon-Plasmon Kopplung mit ein und reicht bis zur Abhängigkeit der Absorptionskante von den wechselseitig wirkenden Mechanismem Renormierung und Bandauffüllung.

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Homoepitaktisches AlN - Emission und Absorption
Duration: 01.01.2014 bis 31.12.2015

Der hochlückige Halbleiter AlN (Eg ~ 6 eV) hat in letzter Zeit enorme Qualitätsverbesserungen erfahren, was vor allem der Verfügbarkeit von AlN Einkristallen geschuldet ist. In diesem Projekt werden mit einem Vergelich von Photolumineszenz und Spektroskopischer Ellipsometrie Zuordnungen von Emissionsbanden ermöglicht. Das Ziel ist es, insbesondere Defektlumineszenzbeiträge eindeutig chemisch zu identifizieren um wiederum die Probenqualität weiter verbessern zu können und das Verständnis des Halbleitermaterials voranzubringen. Dafür werden vor allem homoepitaktische Dünnfilme, die mit verschiedenen Wachstumsbedingungen und in verschiedenen Laboratorien hergestellt wurden untersucht.

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Thermal Assessment of AlInN/GaN High Electron Mobility Transistors
Duration: 13.01.2014 bis 12.05.2014

Ein besonders vielversprechender neuartiger Transistortyp (AlInN HEMT) erlaubt z.B. höhere Stromdichten als herkömmliche Strukturen. Die Betriebssicherheit dieses Transistortyps ist bislang nicht ausreichend untersucht  und soll mittels Vergleichen von Transistor-Kennlinien zu bildgebenden thermischen Verfahren analysiert  werden. Insbesondere wird Raman-Spektroskopie zum Einsatz kommen.

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EU Marie-Curie-ITN: Herstellung und grundlegende Eigenschaften von Indiumnitrid und indiumreichen Legierungen (RAINBOW); Teilprojekt (OvGU): Halbleiter-Elektrolytkontakte für Sensorik
Duration: 01.10.2010 bis 30.09.2012

Indiumnitrid (InN) besitzt unter allen Nitridhalbleitern die kleinste Bandlücke. Erst seit wenigen Jahren ist bekannt, dass diese nicht im sichtbaren sondern im infraroten Spektralbereich liegt. Dies eröffnet neue Anwendungsfelder der Nitride. Ein Konsortium aus 14 europäischen Universitäten und Forschungseinrichtungen hat es sich zum Ziel gestellt, zum einen die Herstellung  von InN und seinen Legierungen mit GaN und AlN deutlich zu verbessern und zum anderen grundlegende elektronische und optische Eigenschaften des Materialsystems zu untersuchen. Auf dieser Basis sollen erste Demonstratoren neuartiger Bauelemente realisiert werden.

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Conduction band density of states probed by photoluminescence excitation spectroscopy in III-nitrides
Duration: 03.05.2011 bis 30.06.2012

Die Leitungsband Zustandsdichte von III-Nitriden soll mittels Synchrotron-basierter Photolumineszenzanregungsspektroskopie untersucht werden. Dabei wird ausgenutzt, dass die semi-core Zustände der Metall-Ionen nur sehr geringe Dispersion aufweisen und daher als Ausgangszustand für eine Anregung ins Leitungsband benutzt werden können. Für Messungen im Rahmen dieses Projekts stehen 4 ganze Tage am Synchrotron zur Verfügung.

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Photoluminescence excitation spectroscopy of wurtzite Al(Ga)N
Duration: 28.10.2010 bis 31.12.2011

Mit Synchrotronstrahlung werden Photolumineszenzanregungsspektren von ternären AlGaN Schichten aufgenommen. Dabei werden Aluminiumkonzentrationen zwischen 20% und 100% untersucht. Hochauflösende Tieftemperaturspektren erlauben Einclick in die Valenzbandstruktur der Materialien. Für Messungen stehen 4 ganze Tage am Synchrotron zur Verfügung.

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Partner
  • AG Kuball, University of Bristol, UK
  • Dr. Manfred Ramsteiner, PDI, Berlin
  • Dr. O. Bierwagen, Paul Drude Institut (PDI), Berlin
  • Prof. Dr. A. Dadgar, Abteilung Halbleiterepitaxie, OvGU Magdeburg
  • Prof. Dr. J.S. Speck, University of California, Santa Barbara
  • Prof. Dr. M. Bickermann, Leibniz Institut für Kristallzüchtung (IKZ), Berlin
  • Prof. Dr. M. Kneissl, TU Berlin und FBH Berlin
  • Prof.Dr. N.T. Son und Dr. A. Kakanakova-Georgieva, University Linköping, Schweden
  • Prof. Dr. Z. Sitar und Prof. Dr. R. Collazo, North Carolina State University, USA
  • Prof. Frank T. Edelmann

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